晶体管类型：NPN
　　最大集电极电流（IC）：100 mA
　　最大集电极-发射极电压（VCE）：150 V
　　最大集电极-基极电压（VCB）：150 V
　　最大功耗：300 mW
　　过渡频率（fT）：100 MHz
　　电流增益带宽积（fT）：100 MHz
　　封装类型：SOT-23

MMBT5551 G1晶体管具有多个显著的特性，使其在高频应用中表现出色。首先，它的高频响应能力使其非常适合射频放大器和高频开关电路。该晶体管具有较高的电流增益带宽积（fT）达到100 MHz，这使得它在高频条件下仍能保持良好的增益性能。此外，MMBT5551 G1具有较高的集电极-发射极和集电极-基极电压额定值，分别为150 V，这使其能够在较高的电压条件下工作而不会发生击穿。这种高电压耐受能力对于需要高稳定性和可靠性的应用来说非常重要。
　　该晶体管的最大集电极电流为100 mA，虽然在电流承载能力上并不是最高的，但在其适用的高频应用中已经足够。MMBT5551 G1的最大功耗为300 mW，这在SOT-23封装中是一个相当高的数值，表明该晶体管能够在相对较高的功率条件下工作。
　　另一个显著的特点是其封装形式，SOT-23封装不仅体积小，便于在高密度印刷电路板上安装，而且具有良好的热性能，有助于有效散热。这种封装形式也使得MMBT5551 G1易于使用在自动化装配线上，提高生产效率。
　　MMBT5551 G1的电流增益（hFE）在不同工作条件下表现出良好的稳定性，这对于确保电路在不同操作环境下的一致性能至关重要。这种稳定性使其在需要精确电流控制的应用中非常有用。

MMBT5551 G1晶体管广泛应用于多种电子设备和系统中，特别是在需要高频操作的场合。它常用于射频放大器中，作为前置放大器或驱动放大器，以提高信号的强度。此外，它也用于高速开关电路，例如在数字电路中作为开关元件，或者在电源管理电路中用于快速切换操作。
　　在通信设备中，MMBT5551 G1可以用于射频信号的放大和处理，确保信号的高质量传输。在消费类电子产品中，如电视和无线电接收器，该晶体管可以用于射频调谐和信号放大电路。此外，它还可以用于测试设备和测量仪器中，作为高频信号处理的核心组件。
　　由于其高电压耐受能力和高频性能，MMBT5551 G1也适用于工业控制和自动化系统中的高频开关应用。在这些应用中，晶体管的可靠性和稳定性至关重要，以确保系统的长期稳定运行。

PN2222A, 2N3904