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SI2309DS-T1 发布时间 时间:2025/7/17 20:35:03 查看 阅读:7

SI2309DS-T1是一款由Silicon Labs推出的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于需要高效能和低电压操作的电源管理应用中。该器件采用小型化的TSOP封装,适合空间受限的设计,具有优异的导通电阻和开关特性。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):20V
  栅源电压(Vgs):±12V
  连续漏极电流(Id):4.1A
  导通电阻(Rds(on)):56mΩ @ Vgs=4.5V
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装类型:TSOP

特性

SI2309DS-T1具备低导通电阻特性,能够在高电流负载下保持较低的功率损耗,从而提升整体系统效率。
  其快速开关性能有助于减少开关过程中的能量损失,适用于高频开关电源设计。
  该MOSFET采用了先进的硅技术,提供了良好的热稳定性和可靠性,在高温环境下依然可以保持稳定的运行状态。
  此外,SI2309DS-T1还具备较强的抗静电能力和过载保护能力,能够有效延长设备使用寿命。
  由于其TSOP封装体积小巧且散热良好,因此非常适合用于便携式电子产品、电池管理系统以及DC-DC转换器等应用领域。

应用

SI2309DS-T1常被应用于各类电源管理系统中,包括但不限于同步整流器、DC-DC降压或升压转换器、负载开关电路以及电池供电设备中的功率控制部分。
  在笔记本电脑、平板电脑及智能手机等消费类电子产品的电源模块设计中也得到了广泛应用。
  同时,它也可用于工业自动化控制系统、汽车电子设备以及LED照明驱动电路等场景。
  在电机控制、逆变器和储能系统中作为高效的功率开关元件使用也是其典型应用之一。

替代型号

Si2309, SI2309EDS, AO3400

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SI2309DS-T1参数

  • 制造商Vishay
  • 产品种类MOSFET
  • 晶体管极性P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压60 V
  • 闸/源击穿电压+/- 20 V
  • 漏极连续电流1.25 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)0.34 Ohms
  • 配置Single
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体TO-236-3
  • 封装Reel
  • 下降时间11.5 ns
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散1.25 W
  • 上升时间11.5 ns
  • 工厂包装数量3000
  • 商标名TrenchFET
  • 典型关闭延迟时间15.5 ns