时间：2025/7/18 23:12:25
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CSD19537Q3T 是德州仪器（Texas Instruments）生产的一款高性能N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用先进的封装技术，适用于高效率电源转换系统。该器件专为在高频开关应用中提供卓越的性能而设计，广泛用于DC-DC转换器、负载开关、电源管理模块等领域。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：100A（Tc=25°C）
最大漏-源极电压（VDS）：30V
最大栅-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大值为5.7mΩ（在VGS=10V时）
功率耗散（PD）：140W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：表面贴装（SON 5mm x 6mm）
CSD19537Q3T采用了TI的先进硅技术和低电阻设计，使其在高电流和高频率应用中表现出色。其导通电阻非常低，减少了功率损耗，提高了整体系统效率。此外，该MOSFET具有良好的热性能，封装设计优化了散热能力，使其能够在高温环境下稳定运行。该器件还具备高雪崩能量耐受能力，增强了在瞬态条件下的可靠性。
这款MOSFET适用于同步整流、负载开关、电机控制和电池供电设备中的功率管理。其封装形式适合自动化贴片生产，提高了制造效率。此外，该器件符合RoHS环保标准，无铅封装设计符合现代电子产品的环保要求。
CSD19537Q3T常用于高性能电源系统，如服务器电源、电信设备电源、DC-DC转换器、工业控制系统、电机驱动器以及高功率负载开关应用。其高效率和低导通电阻特性使其成为需要高电流承载能力的电源管理系统的理想选择。
CSD19535Q3T, CSD19536Q3T
