KSS323G 时间：2025/8/28 17:14:20 阅读：3

KSS323G是一款由韩国KEC公司生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高效率电源转换、DC-DC转换器、电机控制、负载开关以及各种高功率应用场景。该器件采用先进的沟槽式技术，具备低导通电阻（Rds(on)）、高电流容量和优异的热稳定性，能够在较高的开关频率下工作，适合用于节能型电源系统。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：30V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：90A
　　最大脉冲漏极电流(Idm)：360A
　　导通电阻(Rds(on))：约3.2mΩ（在Vgs=10V时）
　　功耗(Pd)：250W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

KSS323G采用了先进的沟槽式MOSFET技术，显著降低了导通电阻，从而减少了导通损耗，提高了整体能效。其低Rds(on)特性使其在高电流应用中表现出色，能够有效降低发热。
　　该器件具有高电流容量，最大连续漏极电流可达90A，适合用于高功率密度的设计。同时，KSS323G具有较强的脉冲电流承受能力，最大脉冲漏极电流可达到360A，适用于需要瞬间大电流的场合。
　　此外，该MOSFET具备良好的热稳定性，可在高温环境下稳定运行，工作温度范围为-55°C至150°C，适应多种工业环境。其封装形式为TO-252（DPAK），便于安装在PCB上并具备良好的散热性能。
　　KSS323G的栅极驱动电压范围为±20V，通常在Vgs=10V时即可完全导通，适用于常见的MOSFET驱动电路。其250W的最大功耗设计使其在高功率应用中具备良好的可靠性。

应用

KSS323G广泛应用于多种电源管理系统和功率电子设备中。在DC-DC转换器中，该器件可作为主开关元件，用于高效升压或降压变换，适用于服务器电源、通信设备电源和电池管理系统。
　　在电机控制方面，KSS323G可用于H桥电路中，作为电机驱动的开关元件，支持高转速和大扭矩电机的控制，适用于电动工具、电动车和工业自动化设备。
　　此外，该器件也常用于负载开关电路中，实现对高功率负载的快速、可靠控制，如LED驱动、电源管理模块和智能电表。
　　由于其优异的导通特性和高电流能力，KSS323G也适用于同步整流电路、逆变器和UPS（不间断电源）系统中，有助于提高整体系统效率和稳定性。