时间：2025/5/27 16:17:53
阅读：28
SI2308DS-T1-GE3 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型 MOSFET，采用小尺寸的 PowerPAK? 1212-8S 封装。该器件主要设计用于高频和高效率应用场合，如 DC-DC 转换器、负载开关以及同步整流电路等。其低导通电阻（Rds(on)）特性能够显著降低功率损耗，提高整体系统的效率。
此外，由于其具备较低的栅极电荷（Qg），使得该 MOSFET 非常适合高频工作环境。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：5.4A
导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ（典型值，Vgs=10V）
栅极电荷：7nC（典型值）
总电容：135pF（典型值，Vds=15V，f=1MHz）
工作结温范围：-55℃至+175℃
1. 极低的导通电阻有助于减少传导损耗，提升系统效率。
2. 较低的栅极电荷支持高频开关操作，适用于高速转换应用。
3. 小型化封装 PowerPAK? 1212-8S 提供了出色的散热性能，并且节省了 PCB 空间。
4. 工作温度范围宽广，适应各种严苛的工作环境。
5. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流。
2. 便携式电子设备的负载开关控制。
3. DC-DC 转换器中的高效功率开关。
4. 电机驱动电路中的功率级元件。
5. 各类电池供电产品的电源管理单元。
SI2306DS-T1-GE3
SI2307DS-T1-GE3
SI2309DS-T1-GE3
