SI2308DS-T1-GE3 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型 MOSFET,采用小尺寸的 PowerPAK? 1212-8S 封装。该器件主要设计用于高频和高效率应用场合,如 DC-DC 转换器、负载开关以及同步整流电路等。其低导通电阻(Rds(on))特性能够显著降低功率损耗,提高整体系统的效率。
此外,由于其具备较低的栅极电荷(Qg),使得该 MOSFET 非常适合高频工作环境。
最大漏源电压:30V
连续漏极电流:5.4A
导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ(典型值,Vgs=10V)
栅极电荷:7nC(典型值)
总电容:135pF(典型值,Vds=15V,f=1MHz)
工作结温范围:-55℃至+175℃
1. 极低的导通电阻有助于减少传导损耗,提升系统效率。
2. 较低的栅极电荷支持高频开关操作,适用于高速转换应用。
3. 小型化封装 PowerPAK? 1212-8S 提供了出色的散热性能,并且节省了 PCB 空间。
4. 工作温度范围宽广,适应各种严苛的工作环境。
5. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
2. 便携式电子设备的负载开关控制。
3. DC-DC 转换器中的高效功率开关。
4. 电机驱动电路中的功率级元件。
5. 各类电池供电产品的电源管理单元。
SI2306DS-T1-GE3
SI2307DS-T1-GE3
SI2309DS-T1-GE3