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SI2308DS-T1-GE3 发布时间 时间:2025/5/27 16:17:53 查看 阅读:12

SI2308DS-T1-GE3 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型 MOSFET,采用小尺寸的 PowerPAK? 1212-8S 封装。该器件主要设计用于高频和高效率应用场合,如 DC-DC 转换器、负载开关以及同步整流电路等。其低导通电阻(Rds(on))特性能够显著降低功率损耗,提高整体系统的效率。
  此外,由于其具备较低的栅极电荷(Qg),使得该 MOSFET 非常适合高频工作环境。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:5.4A
  导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ(典型值,Vgs=10V)
  栅极电荷:7nC(典型值)
  总电容:135pF(典型值,Vds=15V,f=1MHz)
  工作结温范围:-55℃至+175℃

特性

1. 极低的导通电阻有助于减少传导损耗,提升系统效率。
  2. 较低的栅极电荷支持高频开关操作,适用于高速转换应用。
  3. 小型化封装 PowerPAK? 1212-8S 提供了出色的散热性能,并且节省了 PCB 空间。
  4. 工作温度范围宽广,适应各种严苛的工作环境。
  5. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。

应用

1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
  2. 便携式电子设备的负载开关控制。
  3. DC-DC 转换器中的高效功率开关。
  4. 电机驱动电路中的功率级元件。
  5. 各类电池供电产品的电源管理单元。

替代型号

SI2306DS-T1-GE3
  SI2307DS-T1-GE3
  SI2309DS-T1-GE3

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SI2308DS-T1-GE3参数

  • 制造商Vishay
  • 产品种类MOSFET
  • 晶体管极性N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压60 V
  • 闸/源击穿电压+/- 20 V
  • 漏极连续电流2 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)0.16 Ohms
  • 配置Single
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体SOT-23-3
  • 封装Reel
  • 下降时间10 ns
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散1.25 W
  • 上升时间10 ns
  • 工厂包装数量3000
  • 典型关闭延迟时间17 ns
  • 零件号别名SI2308DS-GE3