时间：2025/6/6 10:25:01
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SI2308DS-T1-E3 是一款由 Vishay 生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用小尺寸封装，具有低导通电阻和高开关速度的特点，非常适合用于便携式设备、负载开关、同步整流以及电池供电设备等应用。其出色的电气性能和紧凑的设计使其成为需要高效能和节省空间的应用的理想选择。
该器件基于先进的硅工艺制造，能够在高频条件下提供稳定的性能，同时具备较低的栅极电荷特性，有助于减少开关损耗。此外，其工作电压范围较宽，能够适应多种电源管理场景。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：3.6A
导通电阻（典型值）：95mΩ
栅极电荷：7nC
总电容：45pF
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装类型：DFN1006-2
SI2308DS-T1-E3 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻，有助于提高系统效率并降低功耗。
2. 小型 DFN1006-2 封装设计，适用于对空间要求苛刻的应用。
3. 高开关速度，可减少开关过程中的能量损失。
4. 宽工作温度范围，确保在极端环境下的稳定性。
5. 符合 RoHS 标准，环保且支持无铅焊接工艺。
6. 可靠性高，适合长期运行的工业级应用。
这款 MOSFET 的典型应用场景包括：
1. 便携式电子设备中的负载开关。
2. 同步整流电路中的功率转换元件。
3. 电池管理系统中的保护和控制元件。
4. DC-DC 转换器中的开关元件。
5. LED 照明驱动电路中的电流控制元件。
6. 通信设备中的电源管理单元。
由于其高效的特性和紧凑的封装，SI2308DS-T1-E3 在各种消费类电子产品和工业设备中都表现出色。
SI2306DS, SI2310DS
