HMC787LC3B 时间：2025/5/7 13:12:24 阅读：15

HMC787LC3B 是一款由 Analog Devices（亚德诺半导体）生产的高性能 GaAs MMIC（单片微波集成电路）低噪声放大器 (LNA)，采用 3x3 mm QFN 封装。该芯片专为需要高增益、低噪声和宽频带性能的应用而设计，适用于无线基础设施、点对点无线电、VSAT 和测试设备等领域。
　　其工作频率范围从 DC 到 20 GHz，能够覆盖多种射频应用需求。由于其高线性度和稳定性，HMC787LC3B 在高频通信系统中表现出色。

参数

频率范围：DC 至 20 GHz
　　增益：16 dB（典型值）
　　噪声系数：2.5 dB（典型值）
　　输入回波损耗：10 dB（典型值）
　　输出回波损耗：12 dB（典型值）
　　电源电压：+5 V
　　工作电流：75 mA
　　封装类型：3x3 mm LC3B QFN

特性

HMC787LC3B 具有以下主要特性：
　　1. 宽频带操作：覆盖从直流到 20 GHz 的频率范围，使其适用于多种射频应用。
　　2. 高增益与低噪声：提供 16 dB 的典型增益和 2.5 dB 的低噪声系数，确保信号的高质量传输。
　　3. 稳定性：在宽带范围内具有良好的增益平坦度和温度稳定性。
　　4. 易于使用：只需少量外部元件即可实现完整电路设计。
　　5. 高线性度：出色的 IP3（三阶截取点）性能使其适合于强信号环境中的应用。
　　6. 小型封装：3x3 mm QFN 封装节省空间并简化 PCB 布局设计。

应用

HMC787LC3B 可广泛应用于以下领域：
　　1. 无线基础设施：包括基站、中继器和其他通信设备。
　　2. 点对点无线电：用于长距离数据传输系统。
　　3. VSAT（甚小孔径终端）：支持卫星通信应用。
　　4. 测试设备：作为高性能信号源或接收机前端组件。
　　5. 军事和航空航天：雷达、电子战及其他国防相关应用。
　　6. 科学研究：射电天文、粒子物理实验等需要高精度射频测量的场合。