时间：2025/6/11 20:14:38
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SI2308ADS-T1-GE3是来自Vishay Siliconix的一款N沟道增强型MOSFET功率晶体管，采用行业标准的SO-8封装形式。该器件适用于高频开关应用，并以低导通电阻和快速开关速度为特点，广泛应用于消费电子、通信设备及工业控制领域。
最大漏源电压：40V
最大连续漏极电流：5.6A
最大栅源电压：±8V
导通电阻（典型值，在Vgs=10V时）：8.5mΩ
总栅极电荷（典型值）：7nC
反向传输电容（典型值）：110pF
工作结温范围：-55℃至150℃
SI2308ADS-T1-GE3具有非常低的导通电阻，有助于减少传导损耗，提升效率。同时，其较低的栅极电荷使它在高频应用中表现出色。此外，这款MOSFET采用了先进的工艺技术，能够提供更高的电流密度，从而减小了芯片尺寸并提升了散热性能。
它的快速开关特性使其非常适合于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动等应用场景。SO-8封装不仅提供了良好的电气性能，还具有出色的热稳定性和机械可靠性，满足各种严苛环境下的使用需求。
该MOSFET主要应用于笔记本电脑适配器、手机充电器、LED驱动器以及各类电源管理模块中。它还可用于电信系统的电源子系统、服务器电源以及分布式电源架构中的同步整流电路。此外，由于其高效率和紧凑设计，SI2308ADS-T1-GE3也适合便携式电子设备内的电池管理单元和负载切换电路。
SI2307DS, SI2310DS
