时间：2025/7/5 5:26:00
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SI2307 A7SHB 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TrenchFET Gen III 技术制造，具有低导通电阻（Rds(on)）和高开关速度的特点，非常适合用于 DC-DC 转换器、负载开关、同步整流器以及电池供电设备等应用。
该器件采用了 SOIC-8 封装形式，能够在较低的电压下提供出色的性能表现，同时具备良好的热稳定性和可靠性。
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±12V
连续漏极电流(Id)：19A
导通电阻(Rds(on))：1.4mΩ（在 Vgs=10V 时）
总功耗(Ptot)：15W
工作温度范围(Ta)：-55℃ to +150℃
封装形式：SOIC-8
SI2307 A7SHB 的主要特性包括以下几点：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，有助于减少传导损耗并提高效率。
2. 高电流处理能力，峰值电流可达 19A，适用于大功率应用场景。
3. 快速开关速度，能够降低开关损耗，特别适合高频开关电源设计。
4. TrenchFET 第三代技术，提供了卓越的电气性能和更高的功率密度。
5. 符合 RoHS 标准，环保且支持无铅焊接工艺。
6. 热稳定性强，能够在高温环境下保持可靠的运行状态。
SI2307 A7SHB 广泛应用于多种电子电路中，常见的应用领域包括：
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的主开关管或同步整流管。
2. 便携式设备中的负载开关，如笔记本电脑、平板电脑及智能手机。
3. 电机驱动电路中的功率级开关。
4. 各类 DC-DC 转换器，例如降压转换器、升压转换器以及反激式转换器。
5. 电池管理系统 (BMS) 中的保护开关。
6. 工业自动化控制中的功率切换模块。
SI2304DS, SI2306DS, IRF7846
