时间：2025/5/21 10:09:16
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SI2306DS-T1 是一款来自 Vishay 的 N 沃特功率 MOSFET，采用 TrenchFET Gen III 技术。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合用于高频 DC-DC 转换器、负载点转换器、便携式设备的同步整流以及电池供电应用。
其封装形式为 DSOP-8，在紧凑设计的同时保证了高效的散热性能。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：7.4A
导通电阻（Rds(on)）：2.5mΩ
栅极电荷：19nC
总电容：485pF
工作温度范围：-55℃ to +175℃
SI2306DS-T1 使用了先进的 TrenchFET 工艺，能够显著降低导通损耗和开关损耗。它具备非常低的 Rds(on)，从而减少在高电流下的功耗。此外，该器件还支持快速开关操作，可以满足高频工作的需求。
同时，其坚固的结构设计使其能够在恶劣的工作条件下保持稳定性，并且提供出色的热性能以应对大功率应用场景。
由于其出色的电气性能和可靠性，SI2306DS-T1 成为许多高效能电源管理系统的理想选择。
该器件适用于多种领域，包括但不限于：
1. 开关模式电源 (SMPS)
2. DC-DC 转换器
3. 同步整流电路
4. 笔记本电脑及平板电脑中的电源管理
5. 游戏机和其他消费类电子产品的电源解决方案
6. 多种工业控制和通信设备中的负载切换
SI2309DS-T1, SI2310DS-T1
