时间：2025/6/28 11:05:28
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SI2306DS 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TrenchFET 第三代技术制造，具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力，适合用于高频开关应用以及负载切换场景。
其封装形式为小型的 TSOP-6 (T1)，非常适合空间受限的设计环境。该芯片广泛应用于消费电子、通信设备及工业控制领域中的 DC-DC 转换器、电机驱动和电源管理模块。
最大漏源电压(Vds)：30V
栅极阈值电压(Vgs(th))：1.5V 至 3V
连续漏极电流(Id)：4A
导通电阻(Rds(on))：7mΩ（在 Vgs=10V 时）
功耗(Pd)：1.3W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
SI2306DS 使用了 Vishay 的 TrenchFET Gen III 技术，这种技术显著降低了导通电阻 Rds(on)，从而减少了传导损耗，提升了效率。
此外，该器件具备快速开关速度，能够支持高频操作，并且其低栅极电荷特性有助于降低开关损耗。
由于采用了 TSOP-6 封装，此器件体积小，引脚布局简单，便于 PCB 设计与装配。同时，它还具备出色的热稳定性，在高温环境下也能保持稳定性能。
Vishay 提供全面的质量保证，确保产品能够在严苛的工作条件下长期可靠运行。
SI2306DS 广泛应用于需要高效功率转换的场合，例如：
- DC-DC 转换器中的同步整流开关
- 笔记本电脑和移动设备充电器中的负载开关
- 工业自动化设备中的电机驱动电路
- 各种便携式电子产品中的电池管理系统(BMS)
- LED 驱动电路中的开关元件
此外，它也可作为通用功率开关使用于其他电力电子系统中。
SI2308DS-T1-GE3, SI2309DS-T1-GE3, BSS138
