时间：2025/5/23 6:51:07
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SI2306是Vishay Siliconix公司推出的一款N沟道增强型MOSFET功率晶体管。该器件采用先进的半导体工艺制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种电源管理和功率转换应用。SI2306常用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及电池供电设备中，能够提供高效能的功率切换性能。
其封装形式为SOT-23，在小型化设计中非常受欢迎，同时具备良好的散热性能。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±8V
持续漏极电流：1.9A
导通电阻（Rds(on)）：75mΩ（典型值，Vgs=4.5V时）
总功耗：420mW
工作温度范围：-55℃至+150℃
SI2306是一款高性能的小信号MOSFET，具有以下特点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可减少功率损耗并提高效率。
2. 快速开关能力，适合高频开关应用。
3. 小尺寸SOT-23封装，有助于节省PCB空间。
4. 高度可靠的电气性能，能够在较宽的工作温度范围内稳定运行。
5. 具备反向传输电容（Crss）小的特点，从而降低了开关损耗。
6. 符合RoHS标准，环保无铅。
SI2306广泛应用于各种电子设备中，包括但不限于：
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流。
2. DC-DC转换器，特别是降压或升压拓扑结构。
3. 负载开关，用于保护电路免受过流和短路的影响。
4. 便携式设备中的电池管理功能。
5. 电机驱动器，如步进电机和直流无刷电机控制。
6. 各种消费类电子产品，例如智能手机和平板电脑等充电接口保护。
SI2304DS, BSS138
