时间：2025/5/27 10:54:52
阅读：29
SI2305B-TP是由Vishay Siliconix生产的一款N沟道增强型MOSFET，采用小尺寸的DFN1008-4封装形式。该器件具有低导通电阻和快速开关特性，非常适合用于便携式设备中的负载开关、DC/DC转换器、电池管理电路以及各种功率管理应用。
由于其超小型封装和优异的电气性能，SI2305B-TP在空间受限的应用中表现出色，例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和其他消费类电子产品。
最大漏源电压：6V
最大栅源电压：±8V
连续漏极电流：2.6A
导通电阻（Rds(on)）：35mΩ（典型值，Vgs=4.5V时）
栅极电荷：7nC（典型值）
开关速度：快速
工作温度范围：-55℃至150℃
1. 超低导通电阻，有助于降低功耗并提高效率。
2. 小型DFN1008-4封装，节省PCB板空间。
3. 高开关速度，减少开关损耗，适合高频应用。
4. 较宽的工作温度范围，适应多种环境条件。
5. 符合RoHS标准，绿色环保。
6. 内置反向传导二极管，简化设计并提供保护功能。
1. 便携式电子设备中的负载开关。
2. DC/DC转换器和降压稳压器。
3. 电池管理和保护电路。
4. 电机驱动和小型功率控制。
5. 消费类电子产品中的电源管理模块。
6. 可穿戴设备和其他对体积要求严格的场合。
SI2306DS-T1-G, BSS138
