SI2305B-TP是由Vishay Siliconix生产的一款N沟道增强型MOSFET,采用小尺寸的DFN1008-4封装形式。该器件具有低导通电阻和快速开关特性,非常适合用于便携式设备中的负载开关、DC/DC转换器、电池管理电路以及各种功率管理应用。
由于其超小型封装和优异的电气性能,SI2305B-TP在空间受限的应用中表现出色,例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和其他消费类电子产品。
最大漏源电压:6V
最大栅源电压:±8V
连续漏极电流:2.6A
导通电阻(Rds(on)):35mΩ(典型值,Vgs=4.5V时)
栅极电荷:7nC(典型值)
开关速度:快速
工作温度范围:-55℃至150℃
1. 超低导通电阻,有助于降低功耗并提高效率。
2. 小型DFN1008-4封装,节省PCB板空间。
3. 高开关速度,减少开关损耗,适合高频应用。
4. 较宽的工作温度范围,适应多种环境条件。
5. 符合RoHS标准,绿色环保。
6. 内置反向传导二极管,简化设计并提供保护功能。
1. 便携式电子设备中的负载开关。
2. DC/DC转换器和降压稳压器。
3. 电池管理和保护电路。
4. 电机驱动和小型功率控制。
5. 消费类电子产品中的电源管理模块。
6. 可穿戴设备和其他对体积要求严格的场合。
SI2306DS-T1-G, BSS138