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SI2305B-TP 发布时间 时间:2025/5/27 10:54:52 查看 阅读:16

SI2305B-TP是由Vishay Siliconix生产的一款N沟道增强型MOSFET,采用小尺寸的DFN1008-4封装形式。该器件具有低导通电阻和快速开关特性,非常适合用于便携式设备中的负载开关、DC/DC转换器、电池管理电路以及各种功率管理应用。
  由于其超小型封装和优异的电气性能,SI2305B-TP在空间受限的应用中表现出色,例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和其他消费类电子产品。

参数

最大漏源电压:6V
  最大栅源电压:±8V
  连续漏极电流:2.6A
  导通电阻(Rds(on)):35mΩ(典型值,Vgs=4.5V时)
  栅极电荷:7nC(典型值)
  开关速度:快速
  工作温度范围:-55℃至150℃

特性

1. 超低导通电阻,有助于降低功耗并提高效率。
  2. 小型DFN1008-4封装,节省PCB板空间。
  3. 高开关速度,减少开关损耗,适合高频应用。
  4. 较宽的工作温度范围,适应多种环境条件。
  5. 符合RoHS标准,绿色环保。
  6. 内置反向传导二极管,简化设计并提供保护功能。

应用

1. 便携式电子设备中的负载开关。
  2. DC/DC转换器和降压稳压器。
  3. 电池管理和保护电路。
  4. 电机驱动和小型功率控制。
  5. 消费类电子产品中的电源管理模块。
  6. 可穿戴设备和其他对体积要求严格的场合。

替代型号

SI2306DS-T1-G, BSS138

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SI2305B-TP参数

  • 现有数量33,283现货
  • 价格1 : ¥3.26000剪切带(CT)3,000 : ¥0.72122卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)20 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)4.2A(Tj)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)1.8V,4.5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)60 毫欧 @ 2.7A,4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)900mV @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)15 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值)±8V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)740 pF @ 4 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)1.4W
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装SOT-23
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3