时间：2025/6/3 10:31:45
阅读：8
SI2304DDS-T1-GE3 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用小型化的 SOT-23 封装，适用于空间受限的应用场景。它具有低导通电阻和快速开关速度的特点，适合用于便携式设备、电源管理模块以及信号切换电路中。
该型号属于 SiStealth 系列，具有较低的栅极电荷和优化的动态性能，能够在高频条件下提供高效能表现。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：1.5A
导通电阻（Rds(on)）：70mΩ
栅极电荷：6nC
总电容：39pF
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
SI2304DDS-T1-GE3 的主要特性包括：
1. 低导通电阻 (Rds(on))，可减少功率损耗并提高效率。
2. 快速开关性能，适合高频应用环境。
3. 小型封装设计 (SOT-23)，非常适合紧凑型 PCB 布局。
4. 高可靠性与稳定性，能够适应较宽的工作温度范围。
5. 符合 RoHS 标准，环保且满足现代工业规范。
6. 具有优异的热性能，能够在高负载条件下保持稳定运行。
该 MOSFET 广泛应用于以下机和平板电脑中的负载开关控制。
2. 电池供电产品的电源管理。
3. LED 驱动器和 DC-DC 转换器中的开关元件。
4. 数据通信设备中的信号切换功能。
5. 各种消费类电子产品及工业自动化系统的低侧开关解决方案。
SI2302DS, BSS138, FDN337N
