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SI2304DDS-T1-GE3 发布时间 时间:2025/6/3 10:31:45 查看 阅读:8

SI2304DDS-T1-GE3 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用小型化的 SOT-23 封装,适用于空间受限的应用场景。它具有低导通电阻和快速开关速度的特点,适合用于便携式设备、电源管理模块以及信号切换电路中。
  该型号属于 SiStealth 系列,具有较低的栅极电荷和优化的动态性能,能够在高频条件下提供高效能表现。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:1.5A
  导通电阻(Rds(on)):70mΩ
  栅极电荷:6nC
  总电容:39pF
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃

特性

SI2304DDS-T1-GE3 的主要特性包括:
  1. 低导通电阻 (Rds(on)),可减少功率损耗并提高效率。
  2. 快速开关性能,适合高频应用环境。
  3. 小型封装设计 (SOT-23),非常适合紧凑型 PCB 布局。
  4. 高可靠性与稳定性,能够适应较宽的工作温度范围。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且满足现代工业规范。
  6. 具有优异的热性能,能够在高负载条件下保持稳定运行。

应用

该 MOSFET 广泛应用于以下机和平板电脑中的负载开关控制。
  2. 电池供电产品的电源管理。
  3. LED 驱动器和 DC-DC 转换器中的开关元件。
  4. 数据通信设备中的信号切换功能。
  5. 各种消费类电子产品及工业自动化系统的低侧开关解决方案。

替代型号

SI2302DS, BSS138, FDN337N

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SI2304DDS-T1-GE3参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3.3A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C60 毫欧 @ 3.2A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs6.7nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds235pF @ 15V
  • 功率 - 最大1.7W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3(TO-236)
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称SI2304DDS-T1-GE3-NDSI2304DDS-T1-GE3TR