时间：2025/9/2 10:01:51
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H5MS1G62AFR-J3M 是由SK hynix生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片属于移动DRAM类别，主要用于低功耗应用场景，例如智能手机、平板电脑和其他便携式电子设备。H5MS1G62AFR-J3M的存储容量为1Gb（Gigabit），采用x16的输入/输出配置，具备高速数据传输能力，并且符合低电压运行标准，有助于提升设备的电池续航能力。
容量：1Gb
组织结构：x16
电压：1.35V / 1.5V
封装类型：BGA
温度范围：-40°C ~ +85°C
时钟频率：166MHz / 200MHz
数据速率：333Mbps / 400Mbps
刷新周期：64ms
工作模式：自动刷新/自刷新
封装尺寸：93 balls
接口标准：JEDEC
H5MS1G62AFR-J3M是一款高性能、低功耗的移动DRAM芯片，采用先进的DRAM工艺技术制造。该芯片支持低电压操作，典型电压为1.35V（低压模式）和1.5V（标准模式），从而在不同的工作条件下优化功耗，特别适合移动设备使用。芯片支持x16的数据总线宽度，提供更高的数据吞吐能力，适用于需要大量数据处理的应用场景。
该DRAM芯片支持多种低功耗模式，包括待机模式、深度掉电模式和自刷新模式，进一步延长设备的电池寿命。此外，H5MS1G62AFR-J3M支持166MHz和200MHz的时钟频率，对应的数据速率分别为333Mbps和400Mbps，能够满足对数据处理速度有较高要求的应用。该芯片的封装形式为93-ball BGA，符合JEDEC标准，便于在各种便携式设备中集成。
其工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于工业级环境，确保在恶劣工作条件下仍能保持稳定运行。芯片还具备64ms的刷新周期，支持自动刷新和自刷新功能，以确保数据完整性并减少外部控制器的负担。H5MS1G62AFR-J3M的设计兼顾了性能与功耗，在移动设备中广泛用于作为主内存。
H5MS1G62AFR-J3M主要用于需要低功耗、高性能存储的便携式电子产品，如智能手机、平板电脑、电子阅读器、智能穿戴设备和便携式游戏机等。此外，它也可用于工业控制设备、嵌入式系统以及网络通信设备中，作为临时数据存储的主内存使用。
H5MS1G62EFR-J3M, H5MS1G62AMR-J3M, H5MS1G62EMR-J3M
