时间：2025/7/1 19:53:49
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SI2304 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型 MOSFET 功率晶体管，采用小型化的 SOT-23 封装形式。该器件以其低导通电阻和高开关速度著称，非常适合用于便携式设备、消费类电子以及需要高效功率转换的应用场景。其低 Qg（栅极电荷）特性使其在高频开关应用中表现出色。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：1.2A
导通电阻（Rds(on)）：175mΩ
栅极电荷：8nC
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
封装类型：SOT-23
SI2304 具有以下主要特性：
1. 低导通电阻 (Rds(on))，能够在高频条件下减少传导损耗。
2. 高开关速度设计，适用于 DC-DC 转换器和负载开关等高频应用场景。
3. 小型化封装 SOT-23，节省电路板空间，适合紧凑型设计。
4. 支持较宽的工作温度范围，确保在极端环境下仍能稳定运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
6. 可承受较高的脉冲电流，增强了可靠性。
SI2304 广泛应用于以下领域：
1. 手机和其他便携式电子设备中的负载开关。
2. DC-DC 转换器和同步整流器。
3. 电池管理系统的保护开关。
4. 电机驱动和信号切换。
5. 各种消费类电子产品中的电源管理模块。
6. 开关模式电源 (SMPS) 和逆变器中的功率级元件。
SI2302, SI2303, SI2305
