SI2304 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型 MOSFET 功率晶体管,采用小型化的 SOT-23 封装形式。该器件以其低导通电阻和高开关速度著称,非常适合用于便携式设备、消费类电子以及需要高效功率转换的应用场景。其低 Qg(栅极电荷)特性使其在高频开关应用中表现出色。
最大漏源电压:30V
连续漏极电流:1.2A
导通电阻(Rds(on)):175mΩ
栅极电荷:8nC
工作结温范围:-55℃ 至 +150℃
封装类型:SOT-23
SI2304 具有以下主要特性:
1. 低导通电阻 (Rds(on)),能够在高频条件下减少传导损耗。
2. 高开关速度设计,适用于 DC-DC 转换器和负载开关等高频应用场景。
3. 小型化封装 SOT-23,节省电路板空间,适合紧凑型设计。
4. 支持较宽的工作温度范围,确保在极端环境下仍能稳定运行。
5. 符合 RoHS 标准,环保且可靠。
6. 可承受较高的脉冲电流,增强了可靠性。
SI2304 广泛应用于以下领域:
1. 手机和其他便携式电子设备中的负载开关。
2. DC-DC 转换器和同步整流器。
3. 电池管理系统的保护开关。
4. 电机驱动和信号切换。
5. 各种消费类电子产品中的电源管理模块。
6. 开关模式电源 (SMPS) 和逆变器中的功率级元件。
SI2302, SI2303, SI2305