时间：2025/6/21 11:03:48
阅读：3
SI2303ADS-T1-GE3是一款来自Vishay Siliconix的N沟道增强型MOSFET，采用DFN3335-10封装形式。该器件设计用于高频开关应用，具有极低的导通电阻和快速开关特性，适合在便携式电子设备、负载切换电路以及DC/DC转换器中使用。
这款MOSFET的制造工艺采用了先进的硅技术，确保其具备出色的热性能和电气性能，同时其小型化的封装有助于节省PCB空间，非常适合现代高密度设计。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±8V
连续漏极电流：3.7A
导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ @ Vgs=4.5V
栅极电荷：6.8nC
总电容（Ciss）：225pF
反向传输电容（Crss）：39pF
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
SI2303ADS-T1-GE3的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，能够显著降低传导损耗。
2. 小尺寸DFN3335-10封装，占用更少的PCB空间。
3. 快速开关速度，支持高频操作。
4. 高效的热性能，有助于提升整体系统可靠性。
5. 符合RoHS标准，环保且易于焊接。
6. 优秀的动态性能，适用于多种复杂应用场景。
该器件广泛应用于以下领域：
1. 便携式设备中的负载开关。
2. DC/DC转换器中的功率开关。
3. 各类电池供电设备中的电源管理。
4. 电机驱动和控制电路。
5. 通信设备中的高效信号切换。
6. 汽车电子系统的低压开关应用。
SI2302DS, SI2307DS, BSS138
