时间：2025/8/24 6:16:00
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744870680 是一款由 Vishay Semiconductors 推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件专为高效率电源管理和功率转换应用而设计，具有低导通电阻（RDS(on)）、高电流能力和优异的热稳定性。其封装形式为 TO-220，便于散热，适用于各种高功率密度设计场景。744870680 的主要特点是能够在较高的开关频率下保持较低的开关损耗，从而提高整体系统的能效。此外，该器件具有较高的耐用性和可靠性，适用于工业自动化、电源供应器、DC-DC 转换器以及电动工具等应用场景。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：20V（最大值）
连续漏极电流（ID）：160A（在 25°C 下）
导通电阻（RDS(on)）：4.5mΩ（典型值）
功耗（PD）：200W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：TO-220
栅极电荷（Qg）：150nC（典型值）
输入电容（Ciss）：3300pF（典型值）
744870680 功率 MOSFET 具有多个显著的电气和物理特性。首先，其低导通电阻（RDS(on)）确保了在大电流工作条件下，导通损耗极低，提高了整体能效。其次，该器件支持高达 160A 的连续漏极电流，适用于高功率输出的应用。此外，其 TO-220 封装具备良好的热管理能力，可有效降低结温，延长器件寿命。该 MOSFET 还具备快速开关能力，能够适应高频开关环境，减少开关损耗并提高系统的响应速度。其栅极驱动电压范围宽广（通常为 4.5V 至 20V），便于与多种驱动电路兼容。同时，744870680 采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，提供了更高的器件稳定性和耐用性，能够在恶劣的工作环境下保持可靠的性能。最后，该器件具有较强的雪崩能量承受能力，增强了在异常工作条件下的鲁棒性。
744870680 广泛应用于多个领域，包括但不限于：开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电机驱动器、电动工具、电池管理系统（BMS）、工业自动化设备、UPS（不间断电源）系统、太阳能逆变器以及车载充电器等高功率电子产品。其低导通电阻和高电流能力使其成为高效能功率转换和管理的理想选择。
IRF1405, Si4410DY, FDP3672, STP150N3LL, IPB013N04LG
