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SI2302ADS-T1 发布时间 时间:2025/5/24 13:13:27 查看 阅读:13

SI2302ADS-T1 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET,采用微型 DPAK(TO-252)封装形式。该器件具有低导通电阻和快速开关速度的特点,适用于多种电源管理应用,例如 DC-DC 转换器、负载开关和电机驱动等场景。
  SI2302ADS-T1 的设计使其能够在高频条件下高效运行,并具备出色的热性能,从而提高了系统的整体效率和可靠性。

参数

最大漏源电压:30V
  最大栅源电压:±8V
  连续漏极电流:7.4A
  导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ(在 Vgs=10V 时)
  栅极电荷:19nC
  总功耗:65W
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

SI2302ADS-T1 提供了非常低的导通电阻 Rds(on),这使得它在高电流应用中表现出极高的效率。同时,其快速的开关速度降低了开关损耗,适合高频开关电源的设计需求。
  此外,该器件采用了先进的工艺制造,确保了卓越的热稳定性和可靠性。其坚固耐用的设计能够承受较高的结温,适应各种恶劣的工作环境。
  DPAK 封装形式不仅提供了良好的散热性能,还便于 PCB 布局和安装,非常适合对空间和热管理有严格要求的应用场景。

应用

该 MOSFET 广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源 (SMPS)
  2. DC-DC 转换器
  3. 电池保护电路
  4. 电机驱动控制
  5. 负载开关
  6. 电信和网络设备中的功率分配
  由于其低导通电阻和高温性能,SI2302ADS-T1 特别适合需要高效率和高可靠性的工业和消费类电子应用。

替代型号

SI2301DS-T1
  IRF7832
  AO3402

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SI2302ADS-T1参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2.1A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C60 毫欧 @ 3.6A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1.2V @ 50µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs10nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds300pF @ 10V
  • 功率 - 最大700mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3(TO-236)
  • 包装带卷 (TR)