时间：2025/5/24 13:13:27
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SI2302ADS-T1 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET，采用微型 DPAK（TO-252）封装形式。该器件具有低导通电阻和快速开关速度的特点，适用于多种电源管理应用，例如 DC-DC 转换器、负载开关和电机驱动等场景。
SI2302ADS-T1 的设计使其能够在高频条件下高效运行，并具备出色的热性能，从而提高了系统的整体效率和可靠性。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±8V
连续漏极电流：7.4A
导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ（在 Vgs=10V 时）
栅极电荷：19nC
总功耗：65W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
SI2302ADS-T1 提供了非常低的导通电阻 Rds(on)，这使得它在高电流应用中表现出极高的效率。同时，其快速的开关速度降低了开关损耗，适合高频开关电源的设计需求。
此外，该器件采用了先进的工艺制造，确保了卓越的热稳定性和可靠性。其坚固耐用的设计能够承受较高的结温，适应各种恶劣的工作环境。
DPAK 封装形式不仅提供了良好的散热性能，还便于 PCB 布局和安装，非常适合对空间和热管理有严格要求的应用场景。
该 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS)
2. DC-DC 转换器
3. 电池保护电路
4. 电机驱动控制
5. 负载开关
6. 电信和网络设备中的功率分配
由于其低导通电阻和高温性能，SI2302ADS-T1 特别适合需要高效率和高可靠性的工业和消费类电子应用。
SI2301DS-T1
IRF7832
AO3402
