时间：2025/5/16 15:01:08
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SI2302ADS-T1-E3 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用小型表面贴装封装（TSSOP），具有低导通电阻和高开关速度的特点，非常适合用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机控制和其他功率管理应用。其额定电压为 30V，能够承受较高的漏源电压，并且具备出色的热性能以适应严苛的工作环境。
该芯片通过优化的硅工艺和封装设计，降低了开关损耗和传导损耗，同时支持高频操作，是众多便携式电子设备和工业应用的理想选择。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±8V
连续漏极电流：7.6A
导通电阻（Rds(on)）：5.5mΩ（在 Vgs=10V 时）
栅极电荷：14nC
输入电容：590pF
工作结温范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TSSOP
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可有效降低功率损耗。
2. 高开关速度和低栅极电荷，适合高频开关应用。
3. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
4. 小型化封装，节省 PCB 空间。
5. 出色的热稳定性和电气性能。
6. 支持大电流连续工作，适用于多种功率转换场景。
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流。
2. DC-DC 转换器及降压/升压电路。
3. 电池管理系统中的负载开关。
4. 电机驱动与控制。
5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
6. 消费类电子产品中的充电器和适配器设计。
SI2301DS, SI2303DS, IRF7843
