时间：2025/5/31 1:32:06
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SI2301CDS 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用小型化的 SOT-23 封装，适用于需要高效功率切换和低功耗的应用场景。由于其出色的导通电阻特性和快速开关性能，广泛应用于便携式设备、计算机外设以及通信系统中的负载开关和电源管理电路。
该型号的后缀 -T1-E3 表示其经过特定测试筛选，符合工业级标准，并具有一定的电气特性优化。
最大漏源电压(Vds)：20V
最大栅源电压(Vgs)：±8V
连续漏极电流(Id)：1.4A
导通电阻(Rds(on))：75mΩ
栅极电荷(Qg)：5nC
工作结温范围(Tj)：-55°C 至 +150°C
封装类型：SOT-23
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，有助于减少传导损耗，提高整体效率。
2. 快速开关特性，适合高频应用环境。
3. 小型化 SOT-23 封装，节省 PCB 空间。
4. 高静电放电(ESD)防护能力，增强器件可靠性。
5. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
6. 支持表面贴装技术(SMT)，便于自动化生产与组装。
1. 便携式电子设备中的负载开关。
2. USB 和其他接口保护电路。
3. DC/DC 转换器和降压电路。
4. 电池供电设备中的电源管理。
5. 信号路由和多路复用开关。
6. 工业控制系统的功率分配模块。
SI2302DS, BSS138, 2N7000
