时间：2025/4/27 9:57:46
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SI2301BDS-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用小外形晶体管封装（SOT-23），适用于各种低功耗应用场合。它具有低导通电阻、快速开关速度和出色的电流处理能力，使其非常适合于便携式设备、电源管理电路和信号切换等应用。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±8V
连续漏极电流：1.4A
导通电阻（典型值）：0.57Ω
总栅极电荷：3nC
开关时间：开启延迟时间 6ns，关断延迟时间 4ns
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
SI2301BDS-T1-GE3 的主要特性包括以下几点：
1. 低导通电阻：在较低的 Vgs 下仍然能够保持较低的 Rds(on)，从而减少导通损耗。
2. 快速开关性能：由于其较低的总栅极电荷和快速的开关时间，可以有效降低开关损耗。
3. 小尺寸封装：采用 SOT-23 封装，节省 PCB 空间，适合紧凑型设计。
4. 高可靠性：符合工业标准的高可靠性要求，能够在恶劣环境下正常工作。
5. 宽工作温度范围：支持从 -55°C 到 +150°C 的温度范围，适应多种应用环境。
6. 反向传输电容低：有助于减少开关节点上的振荡并提高效率。
SI2301BDS-T1-GE3 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流。
2. 电池供电设备中的负载开关。
3. 电机驱动和控制电路。
4. 计算机外设和消费类电子产品的电源管理。
5. 工业自动化设备中的信号切换。
6. 便携式电子产品中的 DC/DC 转换器。
SI2302DS, SI2303DS, BSS138
