类型：肖特基二极管
　　工作频率：最高可达10 GHz
　　正向电压降（IF=1 mA）：典型值0.27 V
　　反向漏电流（VR=1 V）：最大10 nA
　　电容（VR=0 V，f=1 MHz）：典型值0.25 pF
　　封装类型：SOT-23
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

HSMS282C-TR1G 具备多项优异特性，使其在高频应用中表现出色。首先，其采用的GaAs工艺使其具有极低的结电容（在1 MHz下为0.25 pF），这有助于减少信号损耗并提高高频性能。其次，该器件的肖特基势垒结构提供了快速的开关速度和低正向电压降（典型值0.27 V），从而降低了功耗并提高了系统效率。
　　此外，HSMS282C-TR1G 的反向漏电流极低（最大10 nA），即使在高温环境下也能保持稳定的性能。其SOT-23封装体积小巧，便于在空间受限的设计中使用，同时支持表面贴装工艺，提高了生产效率和可靠性。
　　该二极管在射频检测和功率测量应用中表现尤为出色，能够处理高达10 GHz的信号频率，适用于无线通信、测试测量设备、雷达系统和传感器网络等领域。其宽工作温度范围（-55°C至+150°C）也使其适用于极端环境下的应用，如航空航天和工业控制系统。

HSMS282C-TR1G 主要用于射频和中频信号处理相关的电路设计。常见应用包括射频功率检测器、中频检波器、调制解调器、混频器以及无线通信系统的前端模块。此外，它还广泛应用于测试与测量设备（如频谱分析仪和功率计）、射频识别（RFID）系统、雷达和传感器网络等高频电子系统中。
　　由于其低电容和快速响应特性，该器件特别适合用于需要高精度信号检测的场合。例如，在蜂窝通信系统中，HSMS282C-TR1G 可作为功率检测元件，用于监测发射功率并反馈给控制电路，以确保信号强度的稳定。在工业控制和汽车电子系统中，该器件也可用于射频信号的整流和检测，以实现高效能的无线通信和传感功能。

HSMS285C-TR1G, HSMS280C-TR1G