时间：2025/6/30 15:49:04
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SI2301 A1SHB 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用小型化封装，适用于需要高效能开关和低导通电阻的应用。其设计针对高效率、低功耗系统进行了优化，广泛应用于消费电子、工业控制和通信设备领域。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：5.8A
导通电阻：7mΩ
栅极电荷：14nC
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
封装类型：TO-252 (DPAK)
SI2301 A1SHB 具有非常低的导通电阻 (Rds(on))，仅为 7mΩ，这有助于降低功率损耗并提高系统的整体效率。同时，该器件具备快速开关能力，适合高频应用。它的工作温度范围宽广，能够在极端环境下可靠运行。此外，其高雪崩击穿能量使其在瞬态条件下具有出色的耐用性。
这款 MOSFET 的小型化封装设计使其成为空间受限应用的理想选择。其优异的热性能确保了在高负载条件下的稳定性，同时减少了对外部散热措施的需求。
SI2301 A1SHB 广泛用于 DC-DC 转换器、电机驱动器、负载开关、电源管理模块以及 LED 驱动电路中。在这些应用中，其低导通电阻和高效率特性可以显著减少能耗，从而延长电池寿命或降低散热需求。此外，它还适用于汽车电子系统中的各种开关功能。
SI2302DS, IRF540N, FDP018N06L
