时间：2025/6/19 13:03:09
阅读：3
SI1988DH-T1-GE3是Vishay公司生产的N沟道增强型MOSFET功率晶体管。该器件采用TrenchFET Gen III技术，具有超低导通电阻和优化的开关性能，适用于高效率、高密度的功率转换应用。
该型号特别适合用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动、电池保护等场景，其出色的性能使得它在便携式电子设备及工业应用中广泛使用。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：25A
导通电阻：1.4mΩ（典型值，Vgs=10V）
栅极电荷：27nC（典型值）
输入电容：2100pF（典型值）
总功耗：25W
工作温度范围：-55℃ to +175℃
该器件具备极低的导通电阻Rds(on)，有助于减少传导损耗并提高整体系统效率。
采用PowerPAK? 8x8封装形式，具有较低的热阻和优良的散热性能。
Vishay的TrenchFET Gen III技术使其能够提供更小的占板面积和更高的电流处理能力。
该器件具有快速开关速度，并且具备较高的雪崩能量承受能力，增强了系统的可靠性。
此外，其符合RoHS标准，环保无铅设计。
SI1988DH-T1-GE3主要应用于消费类电子产品中的电源管理部分，如笔记本电脑适配器、平板电脑充电器等。
同时，它也适用于工业领域的直流电机驱动、逆变器以及不间断电源(UPS)系统。
在汽车电子方面，可用于电池管理系统(BMS)、车载充电器(OBC)以及其他相关功率控制电路。
其高效能表现也使得它成为数据中心服务器电源的理想选择之一。
SI4461DY-T1-GE3
SI4475DY-T1-E3
IRF7832TRPBF
