时间：2025/6/10 12:47:38
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MT18N8R2C500CT 是一种动态随机存取存储器（DRAM）芯片，属于 Micron 的 MT 系列。该型号设计用于满足高性能计算和嵌入式系统中的数据存储需求，支持高频率的数据读写操作。其架构基于现代 DRAM 技术，具备低功耗、高稳定性和快速响应的特点。这种芯片通常应用于服务器、网络设备、工业控制和高端消费电子领域。
容量：512Mb
组织方式：64M x 8
电压：1.8V
接口类型：DDR3
数据速率：800Mbps
封装类型：BGA
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
引脚数：78
MT18N8R2C500CT 具备以下主要特性：
1. 高速数据传输能力，支持 DDR3 标准的 800Mbps 数据速率。
2. 超低功耗设计，采用先进的制造工艺降低运行时的能耗。
3. 支持多芯片堆叠技术，便于构建更大容量的存储模块。
4. 提供广泛的温度范围支持，确保在恶劣环境下的可靠性。
5. 小型化 BGA 封装设计，节省空间并提高散热性能。
6. 内置自动刷新功能，减少外部控制器的负担。
MT18N8R2C500CT 广泛应用于需要高带宽和大容量存储的应用场景，包括但不限于：
1. 企业级服务器和存储系统。
2. 网络路由器和交换机等通信设备。
3. 嵌入式工业控制系统。
4. 医疗成像和科学仪器。
5. 消费类电子产品，如游戏机和高清电视。
MT18N8R2C400CT, MT18N8R2C667CT
