MT18N8R2C500CT 是一种动态随机存取存储器(DRAM)芯片,属于 Micron 的 MT 系列。该型号设计用于满足高性能计算和嵌入式系统中的数据存储需求,支持高频率的数据读写操作。其架构基于现代 DRAM 技术,具备低功耗、高稳定性和快速响应的特点。这种芯片通常应用于服务器、网络设备、工业控制和高端消费电子领域。
容量:512Mb
组织方式:64M x 8
电压:1.8V
接口类型:DDR3
数据速率:800Mbps
封装类型:BGA
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
引脚数:78
MT18N8R2C500CT 具备以下主要特性:
1. 高速数据传输能力,支持 DDR3 标准的 800Mbps 数据速率。
2. 超低功耗设计,采用先进的制造工艺降低运行时的能耗。
3. 支持多芯片堆叠技术,便于构建更大容量的存储模块。
4. 提供广泛的温度范围支持,确保在恶劣环境下的可靠性。
5. 小型化 BGA 封装设计,节省空间并提高散热性能。
6. 内置自动刷新功能,减少外部控制器的负担。
MT18N8R2C500CT 广泛应用于需要高带宽和大容量存储的应用场景,包括但不限于:
1. 企业级服务器和存储系统。
2. 网络路由器和交换机等通信设备。
3. 嵌入式工业控制系统。
4. 医疗成像和科学仪器。
5. 消费类电子产品,如游戏机和高清电视。
MT18N8R2C400CT, MT18N8R2C667CT