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MT18N8R2C500CT 发布时间 时间:2025/6/10 12:47:38 查看 阅读:15

MT18N8R2C500CT 是一种动态随机存取存储器(DRAM)芯片,属于 Micron 的 MT 系列。该型号设计用于满足高性能计算和嵌入式系统中的数据存储需求,支持高频率的数据读写操作。其架构基于现代 DRAM 技术,具备低功耗、高稳定性和快速响应的特点。这种芯片通常应用于服务器、网络设备、工业控制和高端消费电子领域。

参数

容量:512Mb
  组织方式:64M x 8
  电压:1.8V
  接口类型:DDR3
  数据速率:800Mbps
  封装类型:BGA
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  引脚数:78

特性

MT18N8R2C500CT 具备以下主要特性:
  1. 高速数据传输能力,支持 DDR3 标准的 800Mbps 数据速率。
  2. 超低功耗设计,采用先进的制造工艺降低运行时的能耗。
  3. 支持多芯片堆叠技术,便于构建更大容量的存储模块。
  4. 提供广泛的温度范围支持,确保在恶劣环境下的可靠性。
  5. 小型化 BGA 封装设计,节省空间并提高散热性能。
  6. 内置自动刷新功能,减少外部控制器的负担。

应用

MT18N8R2C500CT 广泛应用于需要高带宽和大容量存储的应用场景,包括但不限于:
  1. 企业级服务器和存储系统。
  2. 网络路由器和交换机等通信设备。
  3. 嵌入式工业控制系统。
  4. 医疗成像和科学仪器。
  5. 消费类电子产品,如游戏机和高清电视。

替代型号

MT18N8R2C400CT, MT18N8R2C667CT

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