时间：2025/6/5 22:01:04
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SI1965DH 是一款由 Siliconix（现为 Vishay 旗下品牌）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TrenchFET Gen II 技术制造，具有低导通电阻和高开关速度的特性，适用于多种高频开关应用和电源管理场景。
这款 MOSFET 的封装形式为 SuperSOT-612AC，具备紧凑的尺寸和良好的散热性能，适合空间受限的设计环境。其主要目标市场包括消费电子、通信设备和工业控制等领域的高效能转换电路。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：4.8A
导通电阻：45mΩ
栅极电荷：7nC
工作温度范围：-55℃ 至 150℃
总功耗：1.2W
SI1965DH 具备较低的导通电阻和栅极电荷，使其在高频开关应用中表现出优异的效率和热性能。
由于采用了先进的 TrenchFET 工艺，该器件能够在保证低 Rds(on) 的同时保持较高的电流承载能力。
SuperSOT-612AC 封装不仅提供了良好的电气性能，还能够简化 PCB 布局设计，并减少寄生电感的影响。
此外，其宽广的工作温度范围确保了 SI1965DH 在极端条件下的可靠性，非常适合需要长期稳定运行的应用场景。
SI1965DH 广泛应用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动以及电池供电设备的功率管理模块中。
它也常被用作同步整流 MOSFET，在降压或升压转换器中提供高效的开关性能。
此外，这款器件还可用于 LED 驱动电路、便携式电子设备的充电管理电路以及通信系统中的信号调节电路等场合。
SI1966DP, SI1972DS, IRF7828TRPBF
