时间：2025/9/1 15:20:44
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IS62WV25616BLL-55BI-TR 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.（ISSI）生产的一款高速异步静态随机存取存储器（SRAM），其容量为256K x 16位。该芯片采用高性能的CMOS技术制造，提供高速访问时间和低功耗的特性，适用于需要高性能和低功耗的工业和商业应用。
容量：256K x 16位
访问时间：55ns
电源电压：3.3V
封装类型：TSOP
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
数据总线宽度：16位
封装引脚数：54
封装尺寸：52-TSOP
封装材料：塑料
IS62WV25616BLL-55BI-TR 采用高性能CMOS工艺制造，具有低功耗、高速访问时间和高可靠性等优点。其异步SRAM架构支持快速的数据存取，访问时间低至55ns，适合用于需要快速响应的系统中。该芯片支持16位数据总线接口，提供灵活的控制信号，包括片选（CE）、输出使能（OE）和写使能（WE），支持多种读写操作模式。此外，该器件的工作温度范围为-40°C至+85°C，符合工业级温度要求，能够在各种恶劣环境下稳定运行。封装形式为54引脚TSOP，节省空间，适用于高密度电路板设计。
该SRAM芯片还具备自动数据保持功能，在待机模式下功耗极低，延长了设备的电池寿命。同时，其设计确保了在复杂电磁环境中依然能够保持稳定的数据传输性能。芯片内部集成了地址锁存器和数据缓冲器，提高了数据传输的效率和稳定性。此外，该器件还通过了多项国际质量认证，包括RoHS和REACH标准，确保其环保性和可靠性。
IS62WV25616BLL-55BI-TR 适用于多种需要高速数据存储和低功耗的应用场景，包括工业控制设备、网络通信设备、嵌入式系统、消费电子产品、汽车电子、医疗设备和测试仪器等。在工业控制领域，该SRAM可用于存储实时数据和程序代码，提高控制系统的响应速度。在网络设备中，它可作为缓存存储器，提升数据处理能力。在汽车电子系统中，如车载信息娱乐系统和驾驶辅助系统，该芯片能提供可靠的存储支持。此外，在便携式电子设备中，其低功耗特性有助于延长电池使用时间。
IS62WV25616BLL-55BHI-TR, CY62167EVLL-55BZI-SX, IDT71V1216SA-10PFI
