时间：2025/8/2 5:56:41
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SI1867DL-T1-GE3是一款由Vishay Siliconix制造的双通道、低RDS(on)、N沟道MOSFET，适用于高性能电源管理和功率转换应用。该器件采用先进的沟槽技术，以实现较低的导通电阻和较高的效率。SI1867DL-T1-GE3的封装形式为SOT-23，适用于空间受限的便携式电子设备。该MOSFET具有高耐压能力、低开关损耗以及良好的热稳定性，是工业控制、电源转换器和电池管理系统等应用的理想选择。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：20V
栅源电压(Vgs)：±12V
连续漏极电流(Id)：4A
导通电阻(Rds(on))：30mΩ @ Vgs=4.5V, 60mΩ @ Vgs=2.5V
功率耗散(Pd)：1.4W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：SOT-23
SI1867DL-T1-GE3的主要特性包括低导通电阻、高效率和优异的热性能。其低RDS(on)在4.5V栅极驱动下仅为30mΩ，有助于降低导通损耗并提高系统效率。此外，该器件采用先进的沟槽MOSFET技术，使得在低栅极电压下仍能保持良好的性能，适用于3V或更低的逻辑控制器直接驱动。其SOT-23封装形式提供了良好的散热性能，同时节省PCB空间，适用于高密度设计。SI1867DL-T1-GE3还具有良好的雪崩能量能力，能够在瞬态条件下提供更高的可靠性和耐用性。
该MOSFET的栅极氧化层设计可承受高达±12V的栅源电压，确保在高频开关应用中稳定运行。此外，该器件的低电容特性（如输入电容、输出电容和反向传输电容）有助于减少开关损耗，提高响应速度。SI1867DL-T1-GE3符合RoHS标准，并具有无铅环保封装选项，适用于现代绿色电子产品的设计需求。
SI1867DL-T1-GE3广泛应用于多个领域，包括电源管理系统、DC-DC转换器、负载开关、电池保护电路、电机驱动器以及便携式消费电子产品。在电源管理应用中，该MOSFET可用于高效同步整流器或负载开关，以减少能量损耗并提高系统效率。在电池供电设备中，它可作为主开关或保护元件，提供低导通损耗和高可靠性。此外，该器件还可用于工业控制设备中的高侧或低侧开关，实现精确的功率控制。在汽车电子系统中，SI1867DL-T1-GE3也可用于车身控制模块、车载充电器或LED照明驱动电路。
Si1867BDL-T1-GE3, Si1867EDL-T1-GE3
