时间：2025/5/29 17:26:39
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SI1555DL-T1 是一款由 Vishay 推出的高性能 N 沟道增强型 MOSFET，采用小型化的 SOT-23 封装。该器件具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适合在便携式设备、电池管理电路、负载切换以及 DC-DC 转换器等应用中使用。
其设计重点在于提供高效的功率转换能力，并且具备优秀的热性能，使其能够在紧凑的空间内实现高能效的设计。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：1.8A
导通电阻（Rds(on)）：0.95Ω（典型值，在 Vgs=4.5V 时）
栅极电荷：4nC（典型值）
总电容：36pF（典型值）
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
SI1555DL-T1 具备以下关键特性：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，有助于降低功率损耗并提高系统效率。
2. 高速开关能力，支持高频 PWM 控制电路。
3. 紧凑的 SOT-23 封装形式，适合空间受限的应用环境。
4. 宽泛的工作温度范围，适应各种恶劣条件下的使用需求。
5. 符合 RoHS 标准，环保且无铅设计。
6. 内部保护机制确保稳定运行，延长使用寿命。
该 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 手机和平板电脑中的电源管理模块。
2. 笔记本电脑及其他便携式电子产品的负载开关。
3. 开关模式电源（SMPS）及 DC-DC 转换器。
4. 电池保护电路，例如锂电池组的过流保护。
5. LED 驱动器中的高效开关元件。
6. 电机控制和信号调节电路。
SI2310DS-T1
SI1562DD-T1
NTMFS4C70N
BSS138
