时间：2025/5/10 12:59:11
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SI1501DL-T1-E3 是一款由 Vishay 生产的单通道 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用小型化的 SOT-23 封装。该器件适用于需要高效开关和低功耗的应用场景，具有较低的导通电阻和较高的开关速度。
其主要设计目的是为便携式设备、负载开关、电源管理电路以及其他低功率应用提供高效率和可靠性的解决方案。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±8V
连续漏极电流：1.4A
导通电阻（典型值）：0.16Ω（在 Vgs=4.5V 时）
总功耗：420mW
封装类型：SOT-23
工作温度范围：-55℃至+150℃
SI1501DL-T1-E3 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻保证了高效率和较低的功率损耗。
2. 高速开关性能，支持高频操作。
3. 小型化 SOT-23 封装节省了 PCB 空间，适合紧凑型设计。
4. 较宽的工作温度范围使其能够适应各种环境条件。
5. 可靠的 ESD 保护设计提升了器件的稳定性。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅材料制造。
这款 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流器。
2. 电池供电设备中的负载开关和保护电路。
3. 移动设备中的 DC/DC 转换器。
4. 便携式电子产品中的电源管理模块。
5. 各种消费类电子产品的低功率开关电路。
6. LED 驱动器和其他需要高效开关的场合。
SI2302DS, BSS138, FDN327N
