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SI1424EDH-T1-GE3 发布时间 时间:2025/8/2 7:26:27 查看 阅读:28

SI1424EDH-T1-GE3 是 Vishay Siliconix 公司生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的 TrenchFET 技术,提供高功率密度和低导通电阻,适用于各种高效率电源管理系统。该 MOSFET 采用 8 引脚 PowerPAK SO-8 封装,具有优异的热性能和电气性能,适合用于同步整流、DC-DC 转换器、负载开关和马达控制等应用。

参数

类型:N 沟道增强型 MOSFET
  漏源电压(Vds):30V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id)@ 25°C:4.1A
  导通电阻(Rds(on)):32mΩ @ Vgs=10V
  导通电阻(Rds(on)):42mΩ @ Vgs=4.5V
  功率耗散(Pd):2.5W
  工作温度范围:-55°C ~ 150°C
  封装:PowerPAK SO-8

特性

SI1424EDH-T1-GE3 的核心优势在于其低导通电阻(Rds(on)),这使得在高电流应用中导通损耗显著降低,从而提高整体效率。该器件采用了 Vishay 独家的 TrenchFET 技术,这种技术在单位芯片面积上实现了更高的电流密度,同时保持较低的开关损耗。
  此外,SI1424EDH-T1-GE3 具有良好的热管理能力,得益于其 PowerPAK SO-8 封装结构,能够在有限的空间内提供优异的散热性能。这种封装形式非常适合需要高功率密度和紧凑设计的现代电子设备,如笔记本电脑、服务器电源模块和便携式电子产品。
  该 MOSFET 还具有较高的栅极电压兼容性,支持 4.5V 和 10V 的驱动电压,这意味着它可以与多种常见的栅极驱动电路兼容,包括基于 PWM 控制器的驱动方案。这种灵活性使得 SI1424EDH-T1-GE3 在设计中具有广泛的应用前景。
  从可靠性角度来看,SI1424EDH-T1-GE3 经过了严格的测试和验证,符合工业级标准,具有较长的使用寿命和稳定的性能表现。其工作温度范围宽达 -55°C 至 +150°C,适用于各种严苛的工作环境。

应用

SI1424EDH-T1-GE3 主要应用于高效率电源管理系统中,例如同步整流器、DC-DC 转换器、负载开关和电池管理系统。在笔记本电脑、服务器、工业控制系统和便携式电子设备中,该器件可以作为主开关或同步整流元件,显著提升系统效率并减少发热。
  在同步整流电路中,SI1424EDH-T1-GE3 可以替代传统的肖特基二极管,以降低导通压降并提高整流效率。在 DC-DC 转换器中,它常用于 Buck 或 Boost 拓扑结构,作为主开关元件控制能量的传递。
  由于其高可靠性和紧凑的封装形式,SI1424EDH-T1-GE3 也适用于马达驱动电路和 LED 驱动电路,在这些应用中能够提供稳定的电流控制能力。此外,该器件还可用于负载开关控制,实现对不同负载的快速通断控制,适用于智能电源管理系统和嵌入式控制系统。

替代型号

SI1424EDH-T1-GE3 的替代型号包括 Si4435BDY、IRLML6401TRPBF 和 NDS355AN。这些型号在性能参数和封装形式上与 SI1424EDH-T1-GE3 相近,适用于类似的应用场景。

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SI1424EDH-T1-GE3参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥3.42000剪切带(CT)3,000 : ¥0.96411卷带(TR)
  • 系列TrenchFET?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)20 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)4A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)33 毫欧 @ 5A,4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)18 nC @ 8 V
  • Vgs(最大值)±8V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)-
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)1.56W(Ta),2.8W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装SC-70-6
  • 封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363