时间：2025/4/28 12:47:20
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SI1407BDL-T1-E3 是一款由 Vishay 推出的 N 沱道硅功率场效应晶体管（MOSFET），采用小型化的 SOT-23 封装形式。该器件主要设计用于开关电源、DC-DC 转换器、负载开关和电机驱动等应用，具备较低的导通电阻和较高的开关速度。它适用于需要高效率和紧凑设计的电子电路中。
由于其出色的性能参数和封装优势，SI1407BDL-T1-E3 在消费电子、工业控制和通信设备等领域得到了广泛应用。
型号：SI1407BDL-T1-E3
类型：N 沟道 MOSFET
封装：SOT-23
最大漏源电压（VDS）：30 V
最大栅源电压（VGS）：±20 V
连续漏极电流（ID）：1.8 A
导通电阻（RDS(on)）：75 mΩ（典型值，在 VGS = 4.5V 时）
栅极电荷（Qg）：4 nC（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
1. 极低的导通电阻，有助于减少功率损耗并提高系统效率。
2. 快速开关特性，适合高频开关应用。
3. 小型化 SOT-23 封装，节省 PCB 空间。
4. 高静电放电（ESD）保护能力，增强器件可靠性。
5. 宽工作温度范围，适应各种环境条件。
6. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
7. 具备良好的热稳定性，确保在高温下的可靠运行。
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流。
2. DC-DC 转换器中的开关元件。
3. 负载开关和过流保护电路。
4. 电池管理系统（BMS）中的开关控制。
5. 电机驱动和逆变器电路。
6. 手机、平板电脑等便携式设备中的电源管理。
7. 工业自动化和通信设备中的信号切换。
SI1408BDL-T1-E3, SI1409BDL-T1-E3
