时间：2025/5/7 15:01:50
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SI1403BDL-T1-E3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用小型化的封装设计，适用于高频开关和功率管理应用。由于其低导通电阻和快速开关特性，它在电源转换、负载开关和电池管理等场景中表现优异。
这款 MOSFET 使用了 Vishay 的先进制造工艺，能够在高效率和低损耗的条件下运行。其工作电压范围较宽，能够适应多种电路需求，同时具备出色的热稳定性和可靠性。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±8V
连续漏极电流：3.6A
导通电阻（Rds(on)）：75mΩ
栅极电荷：9nC
开关速度：快速
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
封装类型：DFN1006-2 (SC-79)
SI1403BDL-T1-E3 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，可显著降低传导损耗并提高系统效率。
2. 快速开关性能，适合高频应用。
3. 小尺寸封装，非常适合空间受限的设计。
4. 高度可靠的电气和热性能，确保长期稳定运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保且满足现代电子设备的要求。
6. 支持表面贴装技术（SMT），便于自动化生产。
这些特性使得该器件成为便携式电子产品、通信设备和消费类电子的理想选择。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流。
2. DC-DC 转换器中的功率开关。
3. 各类负载开关和保护电路。
4. 电池管理系统中的充放电控制。
5. 移动设备和物联网设备的电源管理。
6. 数据通信接口的保护与控制。
由于其高性能和小尺寸特点，SI1403BDL-T1-E3 在需要高效能和紧凑设计的应用中具有明显优势。
SI1404BDL-T1-E3, SI1405BDL-T1-E3
