时间：2025/7/5 2:47:47
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MT18N200J500CT 是一款高性能的 N 沃半导体场效应晶体管（MOSFET），主要用于开关和功率管理应用。该器件具有低导通电阻、高电流处理能力和快速开关速度，适用于各种高效率电源转换场景。
该型号属于 MOSFET 系列产品，其设计目标是为工程师提供一种能够在高压条件下保持高效性能的解决方案。它通常被应用于 DC-DC 转换器、逆变器、电机驱动等场合。
最大漏源电压：200V
最大连续漏极电流：50A
导通电阻（典型值）：3.5mΩ
栅极电荷（典型值）：97nC
反向恢复时间：40ns
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
MT18N200J500CT 提供了多种优势，使其成为许多电力电子设计的理想选择：
1. 极低的导通电阻确保了高效的功率传输，并减少了功率损耗。
2. 快速开关能力降低了开关损耗，提高了整体系统的效率。
3. 高雪崩能量能力增强了器件在异常条件下的可靠性。
4. 具有出色的热稳定性，能够在极端温度范围内正常工作。
5. 小型封装设计节省了电路板空间，适合紧凑型设计需求。
这些特点使 MT18N200J500CT 成为现代工业和消费类电子产品的关键元件之一。
该 MOSFET 器件广泛应用于多个领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的主开关和同步整流器。
2. 电动车辆和混合动力汽车中的电机控制器。
3. 太阳能逆变器中作为功率转换的核心组件。
4. 工业自动化设备中的驱动电路。
5. 各种家用电器及消费类电子产品中的功率管理模块。
通过使用 MT18N200J500CT，设计者可以实现更高效、更可靠的电力转换方案。
MT18N200J500GT, IRFP260N, STP50NF20
