时间：2025/7/3 21:47:25
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SI1308EDL-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用 TrenchFET 第三代技术，具有低导通电阻和高开关速度的特性，适用于多种功率转换应用。它主要应用于 DC/DC 转换器、负载开关、电机驱动以及便携式设备中的电源管理电路。
该器件采用了微型化的封装形式（DL：Dual Lead plastic PowerPAK? 1212-8），有助于减少 PCB 占用空间并提高功率密度。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：5.7A
导通电阻（典型值，Vgs=4.5V）：1.5mΩ
导通电阻（最大值，Vgs=4.5V）：1.9mΩ
栅极电荷：6.6nC
反向恢复时间：无（由于是 MOSFET）
工作结温范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：PowerPAK? 1212-8
SI1308EDL-T1-GE3 的主要特点是其超低导通电阻和快速开关性能，这使得它非常适合于高效能的应用场景。TrenchFET 第三代技术显著降低了导通损耗，并且提高了热稳定性。
此外，其小型化封装设计为紧凑型设计提供了便利，同时支持更高的功率密度。
由于其较低的栅极电荷和输出电容，该器件在高频开关应用中表现出色，从而减少了开关损耗并提升了整体效率。
其宽广的工作温度范围使其能够在恶劣环境下稳定运行，适合工业和汽车领域的严苛要求。
该 MOSFET 广泛应用于各种电源管理系统中，包括但不限于：
1. DC/DC 转换器：用于笔记本电脑、平板电脑以及其他便携式电子设备的电源解决方案。
2. 负载开关：用于需要精确控制电流流动的电路。
3. 电机驱动：适用于小型直流电机的控制。
4. 电池保护：确保锂电池等储能设备的安全充电和放电。
5. 通信设备：如基站电源和网络交换机等高性能系统。
其高效的功率转换能力使其成为现代电子设备的理想选择。
SI1306EDL-T1-GE3, SI1310EDL-T1-GE3
