您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > SI1051X-T1-GE3

SI1051X-T1-GE3 发布时间 时间:2023/6/7 10:59:38 查看 阅读:249

制造商:Vishay

目录

概述

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET小信号

RoHS:是

配置:SingleQuadDrain

晶体管极性:P-Channel

汲极/源极击穿电压:8V

闸/源击穿电压:+/-5V

漏极连续电流:1.2A

功率耗散:236mW

最大工作温度:+150℃

安装风格:SMD/SMT

封装/箱体:SC-89-6

封装:Reel

最小工作温度:-55℃

资料

厂商
VISHAY

SI1051X-T1-GE3推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

SI1051X-T1-GE3参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)8V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C-
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C122 毫欧 @ 1.2A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs9.45nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds560pF @ 4V
  • 功率 - 最大236mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOT-563,SOT-666
  • 供应商设备封装SC-89-6
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称SI1051X-T1-GE3TR