SI1034X-T1-GE3
时间:2023/6/7 11:01:24
阅读:454
概述
制造商:Vishay
产品种类:MOSFET小信号
RoHS:是
配置:Dual
晶体管极性:N-Channel
汲极/源极击穿电压:20V
闸/源击穿电压:+/-5V
漏极连续电流:0.18A
功率耗散:250mW
最大工作温度:+150℃
安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:SC-89-6
封装:Reel
最小工作温度:-55℃
资料
厂商 |
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VISHAY |
Vishay Semiconductors |
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SI1034X-T1-GE3参数
- 标准包装3,000
- 类别分离式半导体产品
- 家庭FET - 阵列
- 系列-
- FET 型2 个 N 沟道(双)
- FET 特点逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)20V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C180mA
- 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C5 欧姆 @ 200mA,4.5V
- Id 时的 Vgs(th)(最大)1.2V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs0.75nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds-
- 功率 - 最大250mW
- 安装类型表面贴装
- 封装/外壳SOT-563,SOT-666
- 供应商设备封装SC-89-6
- 包装带卷 (TR)
- 其它名称SI1034X-T1-GE3TR