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2SK3710 发布时间 时间:2025/7/24 2:43:39 查看 阅读:7

2SK3710 是一款由东芝(Toshiba)公司制造的N沟道增强型功率MOSFET,适用于高效率电源管理应用。该器件设计用于高电流、高频率的开关操作,具备低导通电阻和高耐用性,广泛应用于DC-DC转换器、电池充电器和开关电源中。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电流(ID):150A
  最大漏源电压(VDS):60V
  最大栅源电压(VGS):±20V
  导通电阻(RDS(on)):约2.7mΩ(典型值)
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装类型:TO-220AB

特性

2SK3710 MOSFET具有低导通电阻,有助于降低功率损耗,提高整体系统效率。
  其高电流承载能力和耐压特性使其适用于高负载条件下的应用。
  该器件采用TO-220AB封装,具有良好的热性能和机械稳定性,便于散热管理。
  2SK3710的栅极驱动要求较低,能够在广泛的栅极电压范围内稳定工作。
  此外,该MOSFET具备快速开关特性,适用于高频操作,有助于减小电源系统的尺寸和重量。
  器件还具备高耐用性,能够在恶劣工作环境下长期稳定运行。

应用

2SK3710常用于高性能电源系统,如计算机电源供应器、服务器电源和工业电源设备。
  在DC-DC转换器中,该MOSFET可作为主开关器件,提供高效能的电压转换。
  它也适用于电池管理系统,如电动车和储能系统的充电/放电控制电路。
  此外,该器件还可用于电机驱动器、逆变器和UPS(不间断电源)系统中。
  由于其高可靠性和热稳定性,2SK3710也广泛应用于汽车电子和工业自动化设备中。

替代型号

SiHF60N150E, IRF150, IXFH150N60P

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2SK3710参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列-
  • 包装散装
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)85A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)6 毫欧 @ 35A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)-
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)8400 pF @ 10 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)100W(Tc)
  • 工作温度150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装TO-220S
  • 封装/外壳TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB