2SK3710 是一款由东芝(Toshiba)公司制造的N沟道增强型功率MOSFET,适用于高效率电源管理应用。该器件设计用于高电流、高频率的开关操作,具备低导通电阻和高耐用性,广泛应用于DC-DC转换器、电池充电器和开关电源中。
类型:N沟道MOSFET
最大漏极电流(ID):150A
最大漏源电压(VDS):60V
最大栅源电压(VGS):±20V
导通电阻(RDS(on)):约2.7mΩ(典型值)
工作温度范围:-55°C至150°C
封装类型:TO-220AB
2SK3710 MOSFET具有低导通电阻,有助于降低功率损耗,提高整体系统效率。
其高电流承载能力和耐压特性使其适用于高负载条件下的应用。
该器件采用TO-220AB封装,具有良好的热性能和机械稳定性,便于散热管理。
2SK3710的栅极驱动要求较低,能够在广泛的栅极电压范围内稳定工作。
此外,该MOSFET具备快速开关特性,适用于高频操作,有助于减小电源系统的尺寸和重量。
器件还具备高耐用性,能够在恶劣工作环境下长期稳定运行。
2SK3710常用于高性能电源系统,如计算机电源供应器、服务器电源和工业电源设备。
在DC-DC转换器中,该MOSFET可作为主开关器件,提供高效能的电压转换。
它也适用于电池管理系统,如电动车和储能系统的充电/放电控制电路。
此外,该器件还可用于电机驱动器、逆变器和UPS(不间断电源)系统中。
由于其高可靠性和热稳定性,2SK3710也广泛应用于汽车电子和工业自动化设备中。
SiHF60N150E, IRF150, IXFH150N60P