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DTA123JETL 发布时间 时间:2025/4/29 12:01:25 查看 阅读:2

DTA123JETL是一种高功率的MOSFET晶体管,广泛应用于开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等场景。该器件采用TO-220封装形式,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,能够有效提升电路效率并降低功耗。
  DTA123JETL通过优化的制造工艺实现了更高的电流处理能力和更强的热性能,适合在高温环境下长期稳定工作。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  持续漏极电流:30A
  导通电阻:5mΩ
  开关延迟时间:40ns
  功率耗散:125W
  工作温度范围:-55℃ to +175℃

特性

DTA123JETL是一款增强型N沟道功率MOSFET,具备以下主要特点:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少导通损耗,并提升整体系统效率。
  2. 高速开关性能,支持高频应用场合。
  3. 内置反向二极管,可保护电路免受瞬态电压冲击的影响。
  4. TO-220标准封装设计,易于安装与散热管理。
  5. 强大的电流承载能力及耐热性,适用于各种工业级和汽车级应用。

应用

DTA123JETL适用于多种高功率电子设备中,包括但不限于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)
  2. 直流-直流转换器(DC-DC converters)
  3. 电机驱动控制
  4. 电池充电管理系统
  5. 工业自动化与控制
  6. 汽车电子中的负载切换
  其卓越的性能使其成为许多高性能应用的理想选择。

替代型号

IRFZ44N
  STP30NF06
  FDP15U60S
  IXFK30N06T2

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DTA123JETL参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
  • 系列-
  • 晶体管类型PNP - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)2.2k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)47k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)80 @ 10mA,5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)300mV @ 250µA,5mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)500nA
  • 频率 - 转换250MHz
  • 功率 - 最大150mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-75,SOT-416
  • 供应商设备封装EMT3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称DTA123JETL-NDDTA123JETLTR