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SI1029X-T1-GE3 发布时间 时间:2023/6/7 11:01:48 查看 阅读:240

产品种类:MOSFET小信号

目录

概述

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET小信号

RoHS:是

配置:Dual

晶体管极性:NandP-Channel

汲极/源极击穿电压:60V

闸/源击穿电压:+/-20V

漏极连续电流:0.305A

功率耗散:250mW

最大工作温度:+150℃

安装风格:SMD/SMT

封装/箱体:SC-89-6

封装:Reel

最小工作温度:-55℃

资料

厂商
VISHAY
Vishay Semiconductors

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SI1029X-T1-GE3参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列-
  • FET 型N 和 P 沟道
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C305mA,190mA
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.4 欧姆 @ 500mA,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs0.75nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最大250mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOT-563,SOT-666
  • 供应商设备封装SC-89-6
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称SI1029X-T1-GE3TR