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SI1026X-T1-GE3 发布时间 时间：2023/6/7 11:02:55 查看 阅读：333

产品种类：MOSFET小信号

目录

概述

制造商：Vishay

产品种类：MOSFET小信号

RoHS：是

配置：Dual

晶体管极性：N-Channel

汲极/源极击穿电压：60V

闸/源击穿电压：+/-20V

漏极连续电流：0.305A

功率耗散：250mW

最大工作温度：+150℃

安装风格：SMD/SMT

封装/箱体：SC-89-6

封装：Reel

最小工作温度：-55℃

资料

厂商
VISHAY
Vishay Semiconductors

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SI1026X-T1-GE3参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列-
  • FET 型2 个 N 沟道（双）
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C305mA
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C1.4 欧姆 @ 500mA，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）2.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs0.6nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最大250mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOT-563，SOT-666
  • 供应商设备封装SC-89-6
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称SI1026X-T1-GE3TR

IC型号索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 

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