时间：2025/6/13 11:59:58
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CDR31BP620BJZMAT 是一种高性能的双极型功率晶体管（Bipolar Power Transistor），适用于高电压和大电流的应用场景。该器件采用先进的制造工艺，具备低饱和电压、高增益和出色的热稳定性等特点，广泛应用于工业控制、电源管理和电机驱动等领域。
该型号属于东芝（Toshiba）半导体的产品线，主要设计用于需要高可靠性和高效能转换的电路中。
集电极-发射极击穿电压：600V
连续集电极电流：15A
集电极-基极击穿电压：650V
基极-发射极开启电压：2.4V
最大功耗：200W
存储温度范围：-55℃至+150℃
工作结温范围：-55℃至+150℃
特征频率：1MHz
封装类型：TO-247
CDR31BP620BJZMAT 具有以下显著特点：
1. 高耐压能力：600V 的击穿电压使其适合高压应用环境。
2. 大电流承载能力：连续集电极电流高达 15A，可满足高功率需求。
3. 低饱和电压：在典型条件下，其饱和电压较低，有助于减少功率损耗并提高效率。
4. 热性能优越：能够在较高的结温下稳定工作，适应恶劣的工作条件。
5. 快速开关能力：具有较高的特征频率 (1MHz)，能够实现快速的开关动作。
6. 高可靠性：经过严格的质量测试，确保长期运行的稳定性。
该晶体管适用于以下应用场景：
1. 开关电源中的功率级放大器或开关元件。
2. 工业设备中的电机驱动和逆变器模块。
3. 能量管理系统中的功率转换和管理电路。
4. 大功率音频放大器中的输出级驱动元件。
5. 各种高压大电流负载的控制电路。
6. 不间断电源 (UPS) 和其他需要高效能量转换的系统。
CDR31BP620BJZMA, CDR31BP620BJZMAP, 2SD1189
