时间：2025/5/8 16:45:51
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SI1024X-T1-E3 是一款由 Siliconix（现为 Vishay 公司的一部分）生产的 N 沟道增强型 MOSFET 芯片。该器件采用 TrenchFET 技术制造，能够提供低导通电阻和高开关速度，非常适合用于直流-直流转换器、负载开关、电机驱动以及便携式设备中的功率管理应用。
这款 MOSFET 的封装形式为微型表面贴装类型，具有紧凑的尺寸和出色的散热性能，适合高密度电路设计。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：7.9A
导通电阻（典型值，Vgs=10V）：6.5mΩ
栅极电荷：2.9nC
反向恢复时间：8ns
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
SI1024X-T1-E3 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，有助于减少功率损耗并提高效率。
2. 高速开关性能，使其适用于高频开关应用。
3. 小巧的封装尺寸，节省 PCB 空间。
4. 出色的热稳定性，能够在宽温度范围内可靠运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保且满足现代电子产品的法规要求。
6. 内置 ESD 保护功能，增强了器件的耐用性。
该 MOSFET 广泛应用于各种电子设备中，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）
2. 电池供电设备中的负载切换
3. 电机控制和驱动电路
4. LED 驱动器
5. 工业自动化系统中的信号调节模块
6. 消费类电子产品中的 DC-DC 转换器
其高效能和小体积的特点使其成为移动设备和便携式产品设计的理想选择。
SI1023DP-T1-E3, SI1025DP-T1-E3
