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H27U2G8F2DTR-BI 发布时间 时间:2025/9/2 10:21:05 查看 阅读:10

H27U2G8F2DTR-BI 是由SK Hynix(海力士)生产的一款NAND闪存芯片。该芯片属于2Gbit(256MB)容量的SLC(单层单元)NAND闪存,采用TSOP封装,适用于需要高可靠性和稳定性的嵌入式存储应用场景。这款芯片通常用于工业控制、网络设备、通信设备等对数据存储要求较高的系统中。

参数

容量:2Gbit
  存储类型:NAND闪存
  电压:2.7V - 3.6V
  封装类型:TSOP
  接口类型:并行 NAND 接口
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  数据保留时间:10年
  编程/擦除周期:10万次
  

特性

H27U2G8F2DTR-BI 是一款高性能、高可靠性的NAND闪存芯片,具备以下主要特性:
  1. 容量与存储结构:该芯片提供2Gbit的存储容量,采用SLC(Single-Level Cell)技术,每个存储单元仅存储1位数据,相较于MLC(Multi-Level Cell)和TLC(Triple-Level Cell)具有更高的读写速度和更长的使用寿命。SLC NAND的擦写寿命通常可达10万次以上,非常适合需要频繁写入和读取的工业级应用。
  2. 电气特性:芯片支持2.7V至3.6V的宽电压范围,确保在不同电源条件下都能稳定运行。其I/O接口为标准的并行NAND接口,兼容多种主控芯片和嵌入式系统,便于集成和使用。
  3. 封装与耐用性:H27U2G8F2DTR-BI采用TSOP(Thin Small Outline Package)封装形式,具有较小的体积和良好的散热性能,适用于空间受限的嵌入式系统设计。同时,其工作温度范围为-40°C至+85°C,能够在恶劣的工业环境中稳定运行。
  4. 数据可靠性:该芯片具备10年的数据保留能力,在断电情况下仍可确保数据的完整性。此外,其高擦写耐久性和错误校验机制使其适用于对数据可靠性要求较高的应用场景。
  5. 应用灵活性:由于其高性能、高可靠性和广泛的温度适应能力,H27U2G8F2DTR-BI广泛应用于工业控制、通信设备、医疗设备、车载系统、智能电表等需要长期稳定运行的嵌入式系统。

应用

H27U2G8F2DTR-BI 主要应用于以下领域:
  1. 工业自动化设备:如PLC(可编程逻辑控制器)、工业计算机、数据采集系统等,用于存储固件、配置数据和运行日志。
  2. 通信设备:包括路由器、交换机、基站控制器等网络设备,用于存储系统软件和配置信息。
  3. 医疗电子设备:如便携式诊断仪器、监护仪等,用于存储患者数据和设备运行参数。
  4. 智能交通系统:例如车载信息娱乐系统、车载记录仪、智能交通监控设备等,确保在复杂环境下的数据存储稳定性。
  5. 消费类电子产品:虽然主要面向工业市场,但也可用于某些对可靠性有一定要求的消费电子产品中,如高端路由器、NAS存储设备等。
  6. 智能电网与能源管理系统:用于智能电表、远程监控终端等设备,支持长期运行和数据存储需求。

替代型号

H27U2G8F2CTR-BI, H27U1G8F2DTR-BC, H27U518F2ATR-BC

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