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PBSS9110Y,115 发布时间 时间:2025/9/14 5:30:52 查看 阅读:28

PBSS9110Y,115 是由 NXP(恩智浦)推出的一款双极型功率晶体管(NPN 型),主要用于高电流和高功率应用。这款晶体管采用了先进的技术,具有较低的饱和电压(VCE(sat))和较高的电流放大系数(hFE),适用于需要高效能和高可靠性的电子系统。

参数

类型:NPN 双极型晶体管
  最大集电极电流(IC):5.0 A
  最大集电极-发射极电压(VCEO):40 V
  最大集电极-基极电压(VCB0):50 V
  最大发射极-基极电压(VEB0):5 V
  最大功耗(Ptot):25 W
  最大工作温度:150 °C
  封装类型:TO-223
  饱和电压(VCE(sat)):最大 0.25 V(在 IC=3.0 A, IB=150 mA 时)
  电流放大系数(hFE):典型值 110(在 IC=2.0 A, VCE=2.0 V 时)

特性

PBSS9110Y,115 具有多个显著的特性,使其在高功率应用中表现出色:
  首先,它的低饱和电压(VCE(sat))是其核心优势之一。在高电流条件下,VCE(sat) 的降低可以显著减少功率损耗,从而提高系统的整体效率。此外,低 VCE(sat) 还有助于降低晶体管在工作时的温升,提高系统的稳定性和可靠性。
  其次,PBSS9110Y,115 具有较高的电流放大系数(hFE)。这意味着在较小的基极电流驱动下,晶体管可以控制较大的集电极电流,从而减少驱动电路的设计复杂度和功耗。这种特性使其非常适合用于需要高效电流放大的应用。
  该晶体管采用 TO-223 封装,具有良好的散热性能,能够有效应对高功率条件下的热管理问题。TO-223 封装还具有较小的体积,适合在空间受限的 PCB 设计中使用。
  此外,PBSS9110Y,115 的最大集电极电流为 5.0 A,最大集电极-发射极电压为 40 V,使其能够应对较高的电压和电流应力。这种能力使其在多种高功率开关应用中表现出色,例如电源管理、电机驱动、负载开关和 DC-DC 转换器等。
  最后,该晶体管的工作温度范围较宽,最大可达 150 °C,适合在高温环境下工作。这种特性使其能够在恶劣的工业环境中保持稳定运行。

应用

PBSS9110Y,115 广泛应用于多个领域,包括:
  1. 电源管理:该晶体管可用于开关电源、DC-DC 转换器和稳压器,以提高电源系统的效率和稳定性。
  2. 电机驱动:由于其高电流处理能力和低饱和电压特性,PBSS9110Y,115 适合用于直流电机驱动电路。
  3. 负载开关:在需要高电流开关的场合,例如照明系统、加热元件和风扇控制,该晶体管可以作为主开关元件使用。
  4. 工业自动化:在工业控制系统中,它可用于继电器驱动、传感器信号放大和功率控制。
  5. 汽车电子:该晶体管也适用于汽车电子系统,例如电动座椅、车窗控制和车载充电器等应用。
  6. 消费类电子产品:在高功率消费类电子产品中,例如电源适配器、LED 照明和智能家电,该晶体管也可发挥重要作用。

替代型号

PBSS9110Y,115 的替代型号包括 ON Semiconductor 的 PN2222A 和 STMicroelectronics 的 TIP31C。这些型号在某些应用场景中可以提供类似的功能,但在选择替代型号时需要仔细比较其电气特性和封装形式,以确保其适用于具体的设计需求。

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PBSS9110Y,115参数

  • 特色产品NXP - I2C Interface
  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)1A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)100V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)320mV @ 100mA,1A
  • 电流 - 集电极截止(最大)100nA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)150 @ 500mA,5V
  • 功率 - 最大625mW
  • 频率 - 转换100MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供应商设备封装6-TSSOP
  • 包装Digi-Reel®
  • 其它名称568-7330-6