时间：2025/12/26 10:30:10
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BZX84C4V3-7-F是一款由Diodes Incorporated生产的表面贴装稳压二极管（齐纳二极管），广泛应用于电压参考、电源稳压及电路保护等场景。该器件采用SOD-123封装，具有体积小、可靠性高和热稳定性好的特点，适用于紧凑型电子设备中的空间受限设计。其标称齐纳电压为4.3V，在额定工作电流下可提供稳定的电压基准，常用于低功率模拟和数字系统中以确保关键节点的电压稳定。该器件符合RoHS标准，支持无铅焊接工艺，并具备良好的长期电压稳定性和温度系数表现。由于采用了先进的半导体制造工艺，BZX84C4V3-7-F在动态负载条件下仍能保持较低的电压波动，适合对精度有一定要求的应用场合，如传感器信号调理、ADC参考源或接口电平转换电路中的电压钳位功能。此外，其快速响应特性也使其可用于抑制瞬态过电压事件，增强系统的电磁兼容性（EMC）性能。
型号：BZX84C4V3-7-F
封装/外壳：SOD-123
齐纳电压VZ：4.3V
测试电流IZT：5mA
最大齐纳阻抗ZZT：20Ω
功率耗散PD：500mW
工作温度范围：-65°C ~ +150°C
温度系数：+2.0 mV/°C
极性：单向
反向漏电流IR：1μA（最大值，VR=1V）
齐纳电压容差：±5%
BZX84C4V3-7-F作为一款高性能的表面贴装齐纳二极管，具备出色的电气特性和环境适应能力，特别适用于需要精确电压控制的小功率电路中。
其核心特性之一是稳定的4.3V齐纳击穿电压，在5mA的标准测试电流下能够维持高度一致的输出表现，配合±5%的初始容差，可在大多数通用稳压与参考应用中替代更复杂的基准源方案。该器件的最大齐纳阻抗仅为20Ω，意味着在负载变化时电压波动极小，提升了系统整体的稳定性。同时，它拥有高达500mW的功率耗散能力，在SOD-123封装尺寸内实现了优异的热效率，能够在不使用额外散热结构的情况下承受短时过载情况。
温度特性方面，BZX84C4V3-7-F表现出合理的温度系数（+2.0 mV/°C），虽然属于中等水平，但在多数非极端温控环境中仍能满足需求。通过外部限流电阻配合使用，可有效降低温漂带来的影响。此外，其反向漏电流极低，在1V反向偏置下不超过1μA，有助于减少待机功耗，提高电池供电设备的能量利用效率。
SOD-123封装不仅节省PCB空间，还支持全自动贴片生产流程，提升制造效率并降低成本。该器件符合AEC-Q101车规级可靠性标准的部分要求，具备较强的抗湿性、机械强度和焊接耐久性，适用于工业控制、消费类电子产品以及部分车载模块中的次级电源管理单元。整体而言，BZX84C4V3-7-F以其高性价比、良好稳定性和广泛可用性成为众多设计师在实现基础稳压功能时的首选元件之一。
BZX84C4V3-7-F主要应用于需要稳定电压参考或简单稳压功能的电子电路中。常见用途包括低压电源轨的过压保护、模拟前端的信号钳位、ADC输入保护、微控制器复位电路中的电压监测节点，以及作为低成本电压基准用于传感器调理电路。在便携式设备中，它可以用于锂电池供电系统的电压监控点，防止因电压异常导致系统误操作。此外，该器件也常被用作电平转换网络中的偏置元件，确保不同逻辑电平之间的安全交互。在通信接口（如I2C、UART）中，可用于ESD防护和电压箝位，提升系统的电磁兼容性（EMC）性能。由于其快速响应能力和较小寄生参数，也能在高频开关噪声抑制中发挥一定作用。工业自动化模块、智能家居控制器、医疗监测设备和消费类电子产品均广泛采用此类齐纳二极管来增强电路鲁棒性。
MMBZ4V3T1G
PZM4.3
SZBZ4V3
