时间：2023/6/7 11:11:36
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类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：700 毫欧 @ 600mA, 4.5V
漏极至源极电压(Vdss)：20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：500mA
Id 时的 Vgs(th)（最大）：900mV @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs：0.75nC @ 4.5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：-
功率 - 最大：250mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SC-89-3
包装：带卷 (TR)
| 厂商 |
|---|
| VISHAY |
| Vishay Semiconductors |
