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SI01P10-TP 发布时间 时间:2025/5/9 18:20:46 查看 阅读:6

SI01P10-TP 是一款基于硅技术制造的单通道光耦合器,属于 Vishay Semiconductor 的产品系列。该器件主要用于信号隔离,能够在电气上隔离输入和输出电路的同时传输数字信号。其内部包含一个高效的 GaAs 发光二极管(LED)以及一个光敏晶体管,两者通过光学耦合实现电信号的传递。此光耦广泛应用于工业、通信和消费类电子领域,特别是在需要高可靠性和低功耗的应用中。

参数

工作电压:3.3V 至 5V
  最大正向电流:60mA
  集电极-发射极击穿电压:70V
  最小 CTR(电流传输比):100%
  工作温度范围:-40°C 至 +110°C
  封装类型:SOP-4
  存储温度范围:-65°C 至 +150°C

特性

SI01P10-TP 提供了较高的电流传输比(CTR),确保在各种负载条件下都能稳定工作。
  该器件具有出色的共模抑制能力,能够有效减少电磁干扰的影响。
  其紧凑型 SOP-4 封装使其适合于空间受限的设计。
  支持高达 1Mbps 的数据传输速率,适用于多种高速应用。
  符合 RoHS 标准,并具备优越的抗潮湿性能。

应用

该光耦常用于电源管理电路中的反馈信号隔离。
  可用于工业自动化设备中的信号隔离模块。
  适用于医疗设备中对安全隔离要求较高的场合。
  在通信系统中用作接口电路的信号隔离组件。
  还可用于消费类电子产品中的噪声抑制和信号完整性改善。

替代型号

HCPL-051, TLP291-1

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SI01P10-TP参数

  • 现有数量135,990现货
  • 价格1 : ¥3.34000剪切带(CT)3,000 : ¥0.94209卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)100 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)1A(Tj)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)-
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)800 毫欧 @ 1A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)3.2 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)388 pF @ 40 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)770mW
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装SOT-23
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3