SHW5113 时间：2025/9/3 14:16:02 阅读：11

SHW5113是一款由Shine公司生产的N沟道增强型功率MOSFET，主要用于电源管理和功率转换应用。该器件采用了先进的沟槽技术，提供低导通电阻（RDS(on)）和优异的热性能，适用于高效能、高密度的电源系统设计。SHW5113的封装形式通常为TO-252或TO-263等表面贴装封装，便于在各种电子设备中使用。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：100V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：80A（@TC=100℃）
　　脉冲漏极电流（IDM）：320A
　　功耗（PD）：300W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +175℃
　　存储温度范围：-55℃ ~ +175℃
　　封装类型：TO-252（DPAK）或TO-263（D2PAK）

特性

SHW5113采用了先进的沟槽式MOSFET技术，具备非常低的导通电阻（RDS(on)），典型值为5.5毫欧，最大值为7毫欧。这种低导通电阻特性使其在高电流应用中能够有效降低功率损耗，提高系统效率。
　　此外，SHW5113具有良好的热稳定性，能够承受较高的工作温度，并在高温环境下保持稳定性能。该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持常见的10V和12V驱动电压，适用于多种电源管理方案。
　　在可靠性方面，SHW5113通过了严格的工业标准测试，具备较高的耐用性和长寿命。其封装设计优化了散热性能，使得器件在高负载条件下仍能保持较低的工作温度，从而提高了整体系统的稳定性。
　　SHW5113还具有优异的短路和过载保护能力，能够在异常工作条件下提供额外的安全保障，适用于对可靠性要求较高的应用环境。

应用

SHW5113广泛应用于各种功率电子设备中，如DC-DC转换器、同步整流器、电源管理系统、电机控制器、电池充电器、工业自动化设备以及消费类电子产品中的电源模块。
　　由于其低导通电阻和高电流承载能力，该器件特别适用于高效率电源转换系统，如服务器电源、通信设备电源、UPS不间断电源等。此外，在新能源领域，如太阳能逆变器和电动汽车充电系统中，SHW5113也具有广泛的应用前景。
　　对于需要高可靠性和高效率的嵌入式系统设计，SHW5113是一个理想的选择。其表面贴装封装形式也有利于实现紧凑型电路设计，提高生产效率。